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I ricercatori dell’Istituto di ricerca MESA dell’Università di Twente, in collaborazione con la società SolMateS, hanno sviluppato un nuova tipologia di transistor capace di ridurre il consumo di energia dei microchip.
I transistor, alla base dell’elettronica moderna, soffrono solitamente di alti tassi di dispersione di corrente, ma si è notato che avvolgendoli in un guscio di materiale piezoelettrico, è possibile ridurre notevolmente tale dispersione, che rappresenta una delle cause principali di esaurimento delle batterie nei dispositivi elettronici portatili, come smartphone e tablet.
Il trucco utilizzato dai ricercatori consta nell’applicazione all’esterno del transistor del materiale piezoelettrico, che si espande quando gli viene applicata una tensione e ciò comporta una compressione del silicio nel transistor realizzata attraverso una pressione di circa 10.000 atmosfere.
Tale pressione assicura il passaggio di elettroni attraverso il transistor in maniera molto più veloce e consente di avere microchip più efficienti.
La corrente nel transistor scorre dunque attraverso le piccole barre di silicio avvolte da un pacchetto di strati conduttori (che controllano la quantità di tensione meccanica e la quantità di elettroni nel silicio) e di materiale piezoelettrico.
Entusiasta del progetto il ricercatore Ray Hueting: “Il design è ancora abbastanza grezzo, ma un ulteriore sviluppo del transistor è sicuramente possibile e porterà al raggiungimento di un tangibile aumento dell’efficienza dei microchip“.
Fonte: University of Twente
