Non ci sono prodotti a carrello.
ON Semiconductor introduce una nuova famiglia di power MOSFET low voltage a canale N mirati a ridurre le perdite di energia e venire incontro agli stringenti requisiti di efficienza imposti dalle odierne applicazioni industriali.
La nuova famiglia conta sei dispositivi appartenenti alle serie NTMFS4Hxxx e NTTFS4Hxxx indicati per l’uso in converter switching, server, computer e apparati di networking, converter ad elevato rapporto potenza/ingombro, o per supportare il raddrizzamento sincrono in moduli point-of-load (PoL). I MOSFET sono disponibili sia con diodo di protezione integrato normale o con Schottky diode; quest’ultimo migliora l’efficienza perché riduce la dissipazione di potenza nei transienti.
Tra le prestazioni dei nuovi dispositivi, una RDSon di appena 0,7 milliohm e una capacità gate-source (Cgs) di 3,78 nanofarad: la bassa resistenza minimizza le perdite di inserzione del MOSFET in regime sia continuo, sia variabile, mentre la bassa capacità limita le perdite di commutazione e assicura l’accensione e lo spegnimento del dispositivi in tempi brevissimi.
I dispositivi NTMFS4H01N, NTMFS4H01NF, NTMFS4H02N e NTMFS4H02NF sono disponibili in package Pb-free S08-FL a prezzi da circa 2 a 3 dollari al pezzo per ordini di 1.500 unità, mentre gli NTTFS4H05N e NTTFS4H07N sono offerti in package Pb-free µ8-FL a prezzi, rispettivamente, di 0,86 e 0,67 $ al pezzo, sempre per quantità di 1.500 unità.
