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La domanda di componenti a semiconduttore capaci di gestire correnti e tensioni significative è in crescita con lo sviluppo dell’elettronica industriale e di consumo. Pertanto, la tecnologia del carburo di silicio sta ottenendo un riconoscimento più ampio – l’azienda Diotec Semiconductor è un altro produttore che ha iniziato a produrre componenti basati su SiC.
Di seguito presentiamo una nuova offerta dalla nostra gamma di semiconduttori. Si tratta di prodotti Diotec Semiconductor, transistori unipolari a canale N realizzati utilizzando tecnologia a carburo di silicio, o SiC (carburo di silicio). Questo consente parametri eccezionalmente elevati e resistenza dei componenti. I principali vantaggi includono alta corrente di drenaggio, ampia tolleranza termica, bassa carica del gate e breve tempo di accensione. Di conseguenza, possono operare in applicazioni impegnative come alimentatori, convertitori DC/DC ad alta potenza, controllori di motori industriali e utensili elettrici. Inoltre, alcuni prodotti dell’offerta presentata sono qualificati per AEC-Q101, e quindi possono essere utilizzati nell’elettronica automobilistica.
Caratteristiche e Scopo dei Transistori SiC
I nuovi transistori MOSFET di Diotec Semiconductor consentono di controllare correnti con un’intensità massima da 26A a 100A (a seconda del modello) e sono resistenti a impulsi fino a 300A, che soddisfano i requisiti imposti, tra gli altri, per i controllori di funzionamento dei motori. È degno di nota anche l’ampia gamma di tensioni drain-source, che per i prodotti più duraturi raggiunge un valore di 1.7kV.
I transistori presentano una resistenza (in stato acceso) da 16mΩ a 81mΩ, mentre la massima potenza dissipata raggiunge i 715W. Per facilitare l’uso dei dissipatori di calore necessari per raggiungere tali elevati parametri operativi, gli elementi sono racchiusi in pacchetti standard TO247 (con un foro di montaggio isolato) con 3 o 4 terminali. Tutti i prodotti presentati sono destinati per il montaggio a foro passante (THT). Questi transistori possono operare in un intervallo di temperatura da -55 a +175 gradi Celsius.
L’uso del carburo di silicio consente non solo parametri elettrici elevati dei componenti. I transistori realizzati in questa tecnologia introducono anche perdite di potenza relativamente basse, e sono caratterizzati da una maggiore (rispetto al classico silicio) durabilità e affidabilità. Pertanto, sono scelti con entusiasmo per circuiti utilizzati in settori come HVAC, automobilistico, aviazione, ecc. Rispondono anche alle sfide poste dal mercato dell’energia rinnovabile in continua crescita.
| Caratteristiche | |
|---|---|
| Tipo di transistor | N-MOSFET |
| Tecnologia | SiC |
| Polarità | unipolare |
| Tensione drain-source* | 650V, 1.2kV o 1.7kV |
| Corrente di drenaggio* | 26…100A |
| Corrente di drenaggio a impulsi* | 100…300A |
| Potenza dissipata* | 175…715W |
| Pacchetto* | TO247-3 o TO247-4 |
| Tensione gate-source* | -5…20V |
| Resistenza in stato acceso* | 16…81mΩ |
| Montaggio | THT |
| Carica del gate* | 45…373nC |
| Tipo di pacchetto | tubo |
| Tipo di canale | migliorato |
| Applicazione* | industria automobilistica |
* a seconda del modello
