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- La fornitura di wafer viene ampliata per raggiungere struttura di costi, dimensioni di scala e industrializzazione del GaN-on-Silicon necessari per l’implementazione massiva di reti 5G nel mondo.
- Efficienza e benefici delle tecnologie ad ampio bandgap permetteranno di soddisfare i requisiti di portata ed energetici delle antenne 5G.
MACOM Technology Solutions e STMicroelectronics hanno annunciato che nel 2019 amplieranno la capacità produttiva di GaN-on-Silicon da 150 mm negli impianti di ST, e quella da 200 mm in funzione della domanda. Questo ampliamento è finalizzato a servire l’implementazione massiccia e in tempi rapidi di reti di telecomunicazione 5G in tutto il mondo e si fonda sull’accordo generale tra MACOM e ST per la tecnologia GaN-on-Silicon annunciato all’inizio del 2018.
Si prevede che l’introduzione delle reti 5G a livello globale e il passaggio alle configurazioni di antenne Massive MIMO (M-MIMO) determinerà un incremento sostanziale della domanda di prodotti di potenza RF. In particolare, MACOM prevede che vi sarà un aumento da 32 a 64 volte del numero di amplificatori di potenza richiesti, che a sua volta potrebbe moltiplicare di oltre tre volte il valore economico di questo mercato nel corso di un ciclo quinquennale di investimenti in infrastrutture 5G e, sempre secondo le previsioni, abbassare da 10 a 20 volte il costo per amplificatore.
“I principali OEM di stazioni base capiscono la necessità di avere le prestazioni della tecnologia GaN a bandgap ampio, insieme alla possibilità di strutture di costo e capacità manifatturiera in corso di trasformazione, per raggiungere gli obiettivi di costo, portata ed efficienza energetica delle antenne 5G. Siamo convinti che MACOM, facendo squadra con ST, sia in una posizione unica per offrire tutto ciò che serve — prestazioni, costi e una supply chain in grandi volumi,” ha dichiarato John Croteau, President & CEO di MACOM. “Riteniamo che questo investimento congiunto per rafforzare le nostre capacità in una fase ancora precoce ci mette in condizioni di servire fino all’85% dell’implementazione massiva di reti 5G nel mondo.”
“ST si è costruita una base solida come leader globale nel carburo di silicio e il prossimo passaggio sarà l’espansione nel GaN-on-Silicon per applicazioni RF, che permetterà agli OEM di creare una nuova generazione di reti 5G ad alte prestazioni,” ha dichiarato Marco Monti, Presidente dell’Automotive and Discrete Product Group di STMicroelectronics. “Mentre il carburo di silicio è ideale per alcune applicazioni di potenza, come la conversione di potenza richiesta nel settore dell’automobile, la tecnologia GaN-on-Silicon offre le prestazioni RF, le dimensioni di scala e le strutture di costo commerciali necessarie per rendere il 5G una realtà. Con questa mossa, ST e MACOM si propongono di sbloccare il collo di bottiglia del settore e di soddisfare la domanda di realizzare 5G in grandi volumi e tempi rapidissimi.”
