Littelfuse presenta la nuova serie di diodi Schottky LFUSCD in carburo di silicio (SiC)

Littelfuse ha presentato la più recente aggiunta alla propria linea di prodotti di potenza a semiconduttori, la serie LFUSCD di diodi Schottky in carburo di silicio (SiC), presso la fiera PCIM (Power Conversion and Intelligent Motion) Europe 2016 di Norimberga.

Rispetto ai diodi di potenza bipolari standard al silicio, i diodi Schottky SiC Serie LFUSCD consentono ai progettisti di ridurre le perdite di commutazione, gestire grandi correnti di sovratensione senza instabilità termica, e funzionare a temperature di giunzione più elevate, tutte caratteristiche che permettono significativi aumenti in termini di efficienza e robustezza dei sistemi.

L’architettura dei dispositivi Schottky p-n uniti (MPS) della Serie LFUSCD assicura una migliore capacità di resistenza alla sovratensione e una ridotta corrente di dispersione. Disponibili a valori nominali di tensione di 650 V e 1200 V, a valori nominali di corrente da 4 A a 30 A, sono particolarmente adatti per una vasta gamma di mercati, fra cui alimentatori industriali, invertitori solari, trasmissioni industriali, saldature e taglio al plasma, e stazioni di caricamento EV/HEV.

I diodi Schottky SiC Serie LFUSCD migliorano l’efficienza, l’affidabilità e la gestione termica nelle seguenti applicazioni:

• Correzione del fattore di potenza (power factor correction, PFC).
• Fasi di buck o boost nei convertitori CC-CC.
• Diodi di ricircolo nelle fasi di inversione (alimentatori in modalità di commutazione, unità solari, UPS, industriali).
• Rettificazione dell’uscita ad alta frequenza.

“Nell’ambito del nostro crescente portafoglio di semiconduttori di potenza, siamo entusiasti di annunciare la nostra linea di diodi Schottky SiC”, ha dichiarato il Dr. Kevin Speer, responsabile dello sviluppo commerciale per la linea tecnologica Semiconduttori di potenza. “Con i livelli migliori nella categoria di caduta di tensione in andata e di carica capacitiva immagazzinata, i diodi SiC Littelfuse consentiranno ai nostri clienti di ottimizzare l’efficienza dei loro progetti, migliorando nel contempo la robustezza e l’affidabilità del sistema”.

I diodi Schottky SiC Serie LFUS offrono i seguenti vantaggi:

• La carica immagazzinata capacitiva migliore nella categoria e il recupero inverso prossimo allo zero rendono questi dispositivi adatti alla commutazione di potenza ad alta frequenza, assicurano perdite di commutazione trascurabili e riducono lo sforzo sul commutatore opponente.
• La caduta di tensione in andata migliore della categoria assicura basse perdite di conduzione.
• La temperatura di giunzione massima di 175 °C offre un margine di progettazione maggiore e requisiti rilassati di gestione termica.
• L’architettura dei dispositivi Schottky p-n uniti (MPS) migliora la capacità di resistenza alla sovratensione e offre una dispersione estremamente bassa.

I diodi Schottky SiC Serie LFUS sono disponibili nei package TO-220 e TO-247.

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