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ON Semiconductor ha introdotto una nuova serie di transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) che utilizzano la tecnologia proprietaria Ultra Field Stop Trench dell’azienda. I componenti NGTB40N120FL3WG, NGTB25N120FL3WG e NGTB40N120L3WG sono progettati per fornire livelli elevati di prestazioni operative allo scopo di soddisfare i stringenti requisiti delle moderne applicazioni a commutazione. Questi dispositivi da 1200 volt sono in grado di offrire caratteristiche di punta sul mercato in termini di perdite di commutazione (Ets); il notevole miglioramento delle prestazioni è attribuibile sia alla presenza di uno strato field-stop altamente attivato, sia al diodo ottimizzato integrato nel package.
Il dispositivo NGTB40N120FL3WG presenta una Ets di 2.7 millijoule (mJ), mentre l’NGTB25N120FL3WG ha una Ets di 1,7 mJ. Entrambi i dispositivi sono caratterizzati da una VCEsat di 1,7 V in corrispondenza dei rispettivi valori di corrente massima. L’NGTB40N120L3WG è ottimizzato per basse perdite di conduzione e ha una VCEsat di 1,55 V, in corrispondenza della massima intensità di corrente, con una Ets di 3 mJ. I nuovi prodotti basati sulla tecnologia Ultra Field Stop sono forniti integrati in un unico package con un diodo a recupero rapido, che presenta caratteristiche di spegnimento controllato pur assicurando perdite minime di recupero inverso. L’NGTB25N120FL3WG e l’NGTB40N120FL3WG sono particolarmente indicati per l’utilizzo nei gruppi di continuità (UPS) e negli inverter, mentre l’NGTB40N120L3WG è principalmente pensato per l’uso negli azionamenti dei motori.
“Grazie ai nostri nuovi IGBT Ultra Field Stop, unitamente ai diodi ottimizzati a recupero rapido, siamo in grado di raggiungere la giusta combinazione di prestazioni che bilancia perfettamente VCEsat ed Ets, portando così ad una riduzione delle perdite di commutazione e ad una migliore efficienza energetica in applicazioni di tipo hard-switching, su un’ampia gamma di frequenze di commutazione. Allo stesso tempo essi continuano ad offrire le caratteristiche di robustezza e di economicità che gli ingegneri si aspettano dagli IGBT,” afferma Asif Jakwani, direttore senior e responsabile generale della Divisione Dispositivi di Potenza Discreti presso On Semiconductor.
I dispositivi NGTB40N120FL3WG, NGTB25N120FL3WG ed NGTB40N120L3WG sono tutti forniti in alloggiamenti TO−247 conformi alla direttiva RoHS.
