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Toshiba Corporation ha annunciato un nuovo processo costruttivo per memorie flash basato su tecnologia a 65 nm, ottimizzato per la logica, che consuma meno potenza rispetto all’attuale tecnologia più diffusa, e un processo per memoria non volatile (NVM) con singolo elettrodo in polisilicio, basato su un processo da 130 nm ottimizzato per la logica e per i componenti analogici di potenza. L’adozione del processo ottimale per applicazioni diverse consentirà a Toshiba di espandere la propria gamma di prodotti in segmenti come quello dei microcontrollori, degli IC per le comunicazioni wireless, degli azionamenti per il controllo dei motori e degli IC per l’alimentazione. Il mercato delle soluzioni IoT sta assistendo ad una forte domanda di dispositivi a basso consumo in aree che includono gli apparecchi indossabili e gli apparecchi utilizzati in campo sanitario. In risposta a questa esigenza, Toshiba ha adottato la tecnologia di cella di memoria SuperFlash® di Silicon Storage Technology, in combinazione con la propria tecnologia di processo da 65 nm ottimizzata per la logica. La società ha anche regolato finemente circuiti e processi di fabbricazione, sviluppando un processo ottimizzato per la logica con memoria flash interna, caratterizzato da consumi ultra ridotti. I microcontrollori per applicazioni consumer e industriali che fanno uso di questo processo possono ridurre i consumi di potenza di circa il 60% rispetto all’attuale tecnologia più diffusa.
Successivamente all’introduzione della prima serie di microcontrollori, Toshiba prevede di distribuire campioni di prodotti BLE (Bluetooth Low Energy), tecnologia wireless a corto raggio, nell’anno fiscale 2016.
La società conta anche di applicare il processo da 65 nm alla propria famiglia di prodotti IC per le comunicazioni wireless, di modo da poter ottimizzare l’impiego di funzionalità per la riduzione dei consumi, inclusi i controllori NFC (Near Field Communication) e le carte senza contatto.
Oltre ai vantaggi in termini di consumi di potenza ridotti, la tecnologia di processo contribuisce ad accelerare i tempi di sviluppo, dato che il software applicativo può essere facilmente scritto e riscritto nella memoria flash durante lo sviluppo.
Rendendo possibili progressi significativi nella realizzazione di dispositivi con consumi ultra-ridotti, e promuovendo l’ulteriore sviluppo di una tecnologia specializzata per circuiti periferici con memoria flash e di una tecnologia circuitale ottimizzata per i circuiti logici ed analogici, Toshiba sarà in grado di rispondere alla crescita continua della domanda di applicazioni a basso consumo. La società prevede di ridurre il consumo di potenza di interi sistemi, puntando a raggiungere un consumo in fase operativa di 50μA/MHz, e di sviluppare prodotti innovativi per IoT (Internet of Things). Per applicazioni nelle quali è critico ridurre in modo significativo i costi, Toshiba ha sviluppato un processo dedicato per NVM che adotta le celle di memoria MTP (Multi-Time Programmable) a singolo elettrodo in polisilicio sulla tecnologia di processo da 130 nm di Toshiba ottimizzata per i circuiti logici.
Le NVM e i circuiti logici sono immersi in un singolo chip che può incorporare più funzioni eseguite convenzionalmente da un sistema multi-chip. Questo riduce il numero di terminali e consente di realizzare alloggiamenti più piccoli. L’applicazione delle specifiche MTP per i tempi di scrittura migliora le prestazioni del nuovo processo, limitando al contempo l’aumento delle fasi di lavorazione litografica con maschere fino a tre o meno, o addirittura nessuna. Attraverso la tecnologia MTP, usata per regolare l’accuratezza in uscita, Toshiba espanderà la propria gamma di prodotti in campi nei quali è essenziale ottenere un’accuratezza superiore, come quello degli IC per alimentazione.
Le consegne dei campioni in tecnologia NVM da 130 nm e in tecnologia flash da 65 nm sono previste rispettivamente per il quarto trimestre del 2015 e per il secondo trimestre del 2016.
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