MG1200GXH1US61, modulo IEGT da 4500 V e 1200 A da Toshiba

Toshiba Electronics Europe ha presentato un modulo ad alta potenza da 4500 V e 1200 A per sistemi ferroviari, azionamenti industriali, impianti ad energie rinnovabili e applicazioni per la trasmissione e la distribuzione dell’elettricità. Il modulo PMI (Plastic Module IEGT) MG1200GXH1US61 integra un IEGT (Injection-Enhanced Gate Transistor) a canale N e un diodo a recupero rapido (Fast Recovery Diode, FRD) in un contenitore standard con un ingombro superficiale di soli 140 mm x 190 mm.
Progettato per essere utilizzato con correnti molto elevate nella fascia dei 4500 V, il nuovo modulo permette inoltre di risparmiare energia, spazio e peso negli inverter ad alta potenza, nei convertitori a commutazione e negli azionamenti elettrici.
Il modulo MG1200GXH1SU61 offre una tensione di isolamento di 6000 VAC (efficaci, per un minuto) e sopporta una corrente di spegnimento di picco al collettore di 2400 A. La dissipazione di potenza al collettore (a 25 °C) è pari a 4000 W. L’intervallo termico operativo da -40 °C a +150 °C garantisce la compatibilità con le temperature estreme che caratterizzano le applicazioni ad alta tensione.
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