Non ci sono prodotti a carrello.
Toshiba Electronics Europe (TEE) ha annunciato che i suoi nuovi MOSFET ad alto rendimento e bassa tensione sono oggi disponibili in versioni ultracompatte nel contenitore DSOP Advance. I nuovi contenitori offrono un raffreddamento sulle due facce al fine di migliorare la dissipazione del calore. Ciò aiuta i progettisti di sistemi ad alta densità di componenti a ridurre al minimo la temperatura del circuito stampato e a migliorare le prestazioni senza dover aumentare lo spazio occupato sulla scheda.
Il contenitore DSOP Advance ha lo stesso ingombro di 5 mm x 6 mm di un dispositivo SOP Advance. In alcuni test comparativi, con l’uso combinato di un opportuno dissipatore, le temperature di lavoro dei MOSFET da 30 V si riducevano di oltre il 34% con correnti che superavano i 30 A. Inoltre, in alcuni sistemi, la minore resistenza termica del contenitore DSOP Advance può eliminare la necessità di un dissipatore.
Toshiba offre contenitori DSOP Advance per la famiglia di MOSFET UMOS VIII-H e per le nuove famiglie di MOSFET UMOS IX-H. Queste soluzioni tecnologiche combinano i migliori valori di resistenza di conduzione (RDS(ON)) con una bassa capacità di uscita al fine di produrre commutazioni ultra-efficienti. Le versioni DSOP Advance dei dispositivi saranno inizialmente disponibili per diversi MOSFET con tensioni nominali comprese tra 30 V e 100 V.
Gli impieghi dei nuovi MOSFET DSOP Advance comprenderanno sistemi di commutazione ad alta densità di potenza ed elevate prestazioni, come i circuiti di raddrizzamento sincrono in alimentatori per server e apparati di telecomunicazione, nonché gli elettroutensili.
