GaN Systems introduce piattaforme di valutazione per transistor GaN e E-HEMT

La società canadese GaN Systems lancia una serie di board di espansione per la sua scheda madre universale (GS665MB-EVB) che consentono ai progettisti di elettronica di potenza di valutare con facilità le prestazioni dei transistor realizzati in tecnologia GaN e E-HEMT.

La famiglia di quattro schede, caratterizzate da potenze comprese tra 750 W e 2500 W, comprende due sistemi GaN E-HEMT a 650V e da altrettanti sistemi più potenti con raffreddamento; le board comprendono tutti i circuiti necessari, inclusi gate driver half-bridge, alimentatori isolati e dissipatori di calore.

Caratteristiche e impieghi delle piattaforme di valutazione:

• La piattaforma rappresenta un progetto di riferimento e uno strumento di valutazione nonché una soluzione pronta per una semplice valutazione del sistema.
• Le dimensioni verticali della board non superano i 35 mm di altezza che ne consentono l’impiego in moduli da una unità; è anche possibile valutare la tecnologia GaN E-HEMT in board di alimentazione tradizionali con fori passanti.
•  Uno shunt di corrente consente una facile commutazione e una caratterizzazione del test con differenti livelli di corrente.
•  La board presenta dimensioni e ingombri standard che consente ai clienti di utilizzare differenti livelli di potenza per determinare il migliore rapporto costo/prestazioni.

La famiglia di valutazione per dispositivi a 650 V è composta da una scheda madre e da quattro schede di espansione:

Evaluation Board Part Number	GaN E-HEMT Part Number	Description
GS66504B-EVBDB	GS66504B	GaN E-HEMT 650 V/15 A, 100 mΩ
GS66508B-EVBDB	GS66508B	GaN E-HEMT 650 V/30 A, 50 mΩ
GS66508T-EVBDB	GS66508T	GaN E-HEMT 650 V/30 A, 50 mΩ, top side cooled
GS66516T-EVBDB	GS66516T	GaN E-HEMT 650 V/60 A, 25 mΩ, top side cooled
GS665MB-EVB	All	Universal 650 V Motherboard

 

GaN Systems ha anche lanciato il modello GS61008P-EVBBK, un efficiente convertitore buck sincrono per conversione 48 > 12 V basato sul dispositivo GS61008P da 100 V – 90 A, un elemento GaN E-HEMT. Questo convertitore dimostra una grandissima efficienza per frequenze di commutazione fino a 2 MHz, normalmente utilizzate nei sistemi a 48V.

Larry Spaziani, GaN Systems VP Sales & Marketing, ha dichiarato: “Con lo sviluppo di questa famiglia di schede di valutazione GaN E-HEMT stiamo fornendo ai progettisti di potenza gli strumenti per valutare e ottimizzare facilmente le prestazioni dei transistor GaN nei loro sistemi.  I nostri kit di valutazione facilitano lo sviluppo di convertitori AC / DC, sistemi di immagazzinamento dell’energia, convertitori DC / DC e di altri sistemi di alimentazione. Con questi kit gli sviluppatori potranno realizzare nuove soluzioni in grado di migliorare l’efficienza energetica di data center, impianti industriali, sistemi di trasporto e impianti di produzione e distribuzione dell’energia.”

Caratteristiche più approfondite dei sistemi di sviluppo GaN Systems sono disponibili qui.

www.gansystems.com