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STMicroelectronics ha presentato due nuovi MOSFET da 40V qualificati per impiego automobilistico che sfruttano la più recente tecnologia STripFET F7, tecnologia che garantisce superiori prestazioni di commutazione, elevata efficienza energetica, basso rumore emesso ed elevata immunità alle false accensioni. Le principali applicazioni dei nuovi dispositivi – che possono operare con una corrente massima di 120 A – includono tutta la catena di generazione e distribuzione del moto e i sistemi di sicurezza, con caratteristiche di commutazione tali da renderli perfettamente idonei anche in qualsiasi azionamento motorizzato, come, ad esempio, nel servosterzo elettrico (EPS). Con questi nuovi prodotti a 40V per automotive, ST garantisce prestazioni uniche per quanto riguarda il rumore e l’efficienza. La famiglia di MOSFET STripFET di ST utilizza la tecnologia DeepGATE per ottenere il più basso RDS (on) per die e il migliore prodotto tra RDS (on) e carica di gate (Qg), garantendo una elevata efficienza energetica anche nei package di potenza più comuni. I MOSFET presentano anche una grande robustezza nei confronti dell’effetto valanga che può insorgere in presenza di correnti molto intense.
La tecnologia STripFET F7 migliora le prestazioni di commutazione e massimizza l’efficienza energetica riducendo nel contempo le dimensioni del diodo, il reverse-recovery charge (Qrr) e il reverse-recovery time (trr) mentre il softer recovery minimizza le emissioni elettromagnetiche (EMI) semplificando i filtri esterni. Inoltre, le caratteristiche capacitive del componente aumentano l’immunità al rumore evitando la necessità di circuiti soppressori mentre l’elevata immunità ai falsi turn-on evita l’impiego di driver dedicati. Nei circuiti di controllo a ponte, come quelli dei motori, le caratteristiche dei MOSFET prevengono le correnti shoot-through migliorando così l’affidabilità.
I MOSFET STL140N4F7AG e STL190N4F7AG con package 5×6 PowerFLAT rispondono ai requisiti AEC-Q101; le dimensioni contenute e lo spessore di appena 0,8 mm garantiscono una elevata densità di potenza al sistema, mentre i terminali laterali consentono sia una facile saldatura del componente che la possibilità di una ispezione ottica automatica. Entrambi i MOSFET sono già in produzione.
