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Toshiba Electronics Europe ha ampliato la propria famiglia di MOSFET di potenza per automotive con il TK1R5R04PB – il primo dispositivo alloggiato nel proprio nuovo package D2PAK+ a bassa resistenza. Pur presentando lo stesso ingombro rispetto al package D2PAK (o TO-263) convenzionale, D2PAK+ offre una resistenza ridotta. Ciò è possibile grazie alla presenza di un pin di alimentazione che è molto più ampio e più vicino alla superficie della scheda rispetto a quello di un package D2PAK convenzionale.
Il dispositivo TK1R5R04PB opera con una tensione nominale di 40V e una corrente nominale di 160A ed è caratterizzato da una resistenza di ON massima di 1,5mΩ (VGS = 10V). Il valore minimo e il valore massimo della tensione di soglia sono pari a 2V e 3V rispettivamente.
Per produrre il componente TK1R5R04PB è stato utilizzato l’ultimo processo di produzione di wafer UMOS IX-H di Toshiba. Quest’ultimo possiede una capacità eccellente di soppressione delle fluttuazioni di tensione durante la commutazione e può contribuire a ridurre il rumore dovuto alle emissioni elettromagnetiche nelle applicazioni.
Le applicazioni di riferimento includono le pompe per autoveicoli, le ventole, i convertitori DC-DC e gli interruttori di carico.
Il dispositivo TK1R5R04PB è conforme ai requisiti AEC-Q101 di classe automotive.
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