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Toshiba ha presentato l’ultima generazione delle sue memorie 3D realizzate con tecnologia BiCS Flash che utilizzano una struttura a 64 layer e, prima al mondo, ne ha iniziato la distribuzione dei campioni.
La nuova memoria utilizza la tecnologia 3-bit-per-cella (cella a triplo livello, TLC) e presenta una capacità di 256 gigabit (32 gigabytes), un primato che sottolinea il potenziale dell’architettura proprietaria di Toshiba che, a breve , consentirà di realizzare un chip da 512 gigabit (64-gigabyte), sempre a 64 strati.
Il nuovo dispositivo è il frutto dell’evoluzione della tecnologia BiCS Flash a 48 strati rispetto alla quale lo stacking a 64 livelli consente un incremento di capacità del 40% a parità di dimensioni, una riduzione del costo per bit, e un migliore sfruttamento dei wafer di silicio. La tecnologia a 64-layer BiCS FLASH è in grado di soddisfare le nuove esigenze nel settore delle memorie, in applicazioni che includono sistemi SSD professionali e consumer, tablet e schede di memoria in genere.
Dopo aver annunciato, per prima al mondo, la realizzazione di un prototipo di memoria 3D nel 2007, Toshiba ha continuato lo sviluppo di questa tecnologia nella versione proprietaria BiCS Flash con lo scopo di soddisfare la domanda di grandi capacità di memoria in dimensioni molto piccole.
Toshiba produrrà le nuove memorie a 64 layer BiCS Flash nel nuovo reparto Fab 2 presso lo stabilimento di Yokkaichi, che è stato ufficialmente inaugurato all’inizio di luglio 2016, con la produzione di massa di questi dispositivi prevista per la prima metà del 2017.
