Non ci sono prodotti a carrello.
Continua l’interesse degli scienziati per il grafene, in particolare per le applicazioni nel campo dell’optoelettronica, in quanto la mancanza di un band gap intrinseco consente a questo materiale di assorbire energia da uno spettro molto ampio, dalle frequenze visibili, ai raggi infrarossi fino a frequenze dell’ordine dei terahertz.
Proprio in questo campo è stato realizzato recentemente un fotorivelatore a barriera Schottky basato su silicio e grafene che ha consentito di raggiungere notevoli risultati per quanto riguarda la capacità di assorbimento dell’energia.
La ricerca – finanziata dalla Commissione Europea nell’ambito del progetto “Graphene Flagship” – ha visto protagoniste l’Università di Cambridge nel Regno Unito, The Hebrew University in Israele, e la John Hopkins University degli Stati Uniti; i risultati sono stati presentati sulla rivista Nano Letters ed hanno evidenziato una “responsivity” da parte del fotorivelatore al grafene di 0,37 ampere per watt di luce incidente ad una frequenza di 1,55 micrometri, valori simili a quelli dei rilevatori basati su silicio e germanio che richiedono un processo di fabbricazione complesso e relativamente costoso mentre la nuova combinazione grafene-silicio potrebbe essere molto più semplice ed economica da produrre.
I nuovi dispositivi sono basati su una giunzione tra il metallo e un semiconduttore, e potrebbero portare ad un’elevatissima efficienza energetica, un risultato chiave nella realizzazione delle reti per l’Internet of Things (IoT).
