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I nuovi MOSFET di potenza a canale N della famiglia MDmesh DM2 di STMicroelectronics offrono un’opportunità unica ai progettisti di raggiungere la più alta efficienza energetica nei circuiti di alimentazione di potenza a bassa tensione per computer, reti di telecomunicazione, sistemi industriali e dispositivi consumer.
La crescente mole di dati dovuti alla digitalizzazione di libri, video, fotografie e file musicali che sempre più spesso vengono acquistati, memorizzati e condivisi, comporta la necessità di ridurre al minimo l’energia assorbita dagli enormi server farm dove questi dati vengono memorizzati, dalle reti di comunicazione utilizzate per trasferire i file e dai dispositivi impiegati dall’utente finale per usufruire di tali dati.
Questa esigenza è sempre più sentita, e ST sta affrontando questa sfida con una soluzione che garantisce una delle più elevate densità di potenza al mondo, combinando un’avanzatissima struttura del transistor di potenza con una tecnologia di packaging PowerFLAT 8×8 HV economicamente vantaggiosa e particolarmente efficiente dal punto di vista termico.
La nuova famiglia di ST comprende una vasta gamma di MOSFET di potenza con diodo di fast-recovery integrato e tensione di breakdown fino a 650 volt. La combinazione di prestazioni avanzate – bassa carica di gate con ridotta capacità, bassissima resistenza di conduzione, efficiente diodo fast recovery, basso valore di Qrr (recovery charge) e di Trr (recovery time), ottimo soft-switching – consentono ai nuovi dispositivi di occupare una posizione di leadership nel mercato di riferimento.
I nuovi MOSFET di potenza della serie MDmesh DM2 sono già disponibili con differenti package e tensioni operative.
