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In attesa dell’arrivo sul mercato delle memorie 3D XPoint di Intel, proseguono gli studi per trovare alternative alla tecnologia del silicio che, secondo alcuni, è ormai al capolinea. L’ultimo pretendente al trono è il cosiddetto memristor, oggetto degli studi dei ricercatori del Politecnico di Zurigo che sono riusciti a realizzare memristor di perovskite di soli 5 nanometri di spessore con tre stati resistivi stabili, il che significa che è possibile memorizzare i dati come 0,1 e 2, ovvero con un “trit” anziché un “bit”.
La ricerca, che è stato pubblicato sulla rivista ACS Nano, ha portato allo sviluppo di sistemi di commutazione non volatili che possono essere attivati mediante un impulso di tensione.
“I dispositivi da noi messi a punto potrebbero essere utilizzati per una Information Technology di nuovo tipo, che non si basa soltanto sulla logica binaria ma che prevede l’informazione che si trova tra lo zero e l’uno,” ha affermato Jennifer Rupp, professore il Dipartimento dei Materiali al Politecnico di Zurigo.”Tutto questo presenta interessanti implicazioni per quella che viene definita come logica fuzzy, che introduce una forma di incertezza nel trattamento delle informazioni digitali. Potremmo chiamarla informatica più soft.”
I ricercatori ritengono che questa capacità potrebbe essere adatta a quella che viene definita “neuromorphic computing” e che ha già visto un’interessante soluzione messa a punto dai ricercatori della Northwestern University che hanno utilizzato bisolfuro di molibdeno (MoS2) per dotare di un terzo terminale il memristor, simulando così i neuroni del cervello umano.
Al di là di queste particolari applicazioni, i ricercatori dell’ETH continuano gli studi per identificare con precisione i meccanismi fisici che determinano i tre stati stabili.
Fonte: ACS Nano
