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Infineon Technologies ha presentato all’ultima edizione di EuMW di Parigi i suoi primi dispositivi appartenenti ad una famiglia di transistor RF di potenza basati sulla tecnologia nitruro di gallio (GaN) su carburo di silicio (SiC). Questi dispositivi, che fanno parte della più vasta gamma di prodotti con tecnologia GaN di Infineon, consentiranno ai produttori di stazioni base per connessioni cellulari di realizzare trasmettitori più piccoli, più potenti e più flessibili. Con una maggiore efficienza, una migliore densità di potenza e una più ampia larghezza di banda rispetto ai transistor di potenza RF attualmente utilizzati, i nuovi dispositivi consentiranno una riduzione dei costi delle infrastrutture delle reti cellulari, facilitando il passaggio alla tecnologia 5G che garantirà volumi di dati più elevati e, di conseguenza, una maggiore usabilità del servizio.
“Questa nuova famiglia di dispositivi combina l’innovazione con la conoscenza delle caratteristiche dell’infrastruttura delle reti mobili, mettendo a disposizione dei nostri clienti di tutto il mondo i transistor di potenza RF di nuova generazione di cui hanno bisogno. I nuovi dispositivi consentono un significativo miglioramento della performance operativa e la riduzione delle dimensioni dei trasmettitori utilizzati nelle stazioni base“, ha dichiarato Gerhard Wolf, Vice President and General Manager della linea di prodotti RF di Infineon. “Inoltre, con il passaggio alla tecnologia wide band-gap, stiamo mantenendo il ritmo di una continua evoluzione dell’infrastruttura cellulare.”
Il nuovo transistor di potenza RF sfrutta la tecnologia GaN per ottenere un’efficienza superiore del 10% e, soprattutto, una densità di potenza cinque volte superiore rispetto alla tecnologia LDMOS utilizzata finora. Tutto ciò ha un significativo impatto sulle dimensioni e sui requisiti di alimentazione degli amplificatori di potenza impiegati oggi nelle base-station che operano nelle gamme di frequenza 1,8-2,2 GHz e 2,3-2,7 GHz. In futuro la tecnologia GaN su SiC favorirà anche lo sviluppo del 5G in tutte le gamme di frequenza sino a 6 GHz. Questa visione basata sulla sua lunga esperienza e sugli attuali dispositivi, consente a Infineon di occupare una posizione di avanguardia nel campo della tecnologia dei transistor di potenza RF.
La flessibilità di progettazione e il supporto per la tecnologia 4G rappresentano ulteriori vantaggi dei dispositivi di potenza RF in GaN. I nuovi dispositivi consentono di operare con una larghezza di banda doppia rispetto ai transistor RF LDMOS, permettendo alle base-station di supportare più frequenze operative. Essi presentano anche una maggiore larghezza di banda istantanea che consente agli operatori di realizzare tecniche di aggregazione dei dati, offrendo servizi in 4.5G.
Ulteriori informazioni sui transistor di potenza RF con tecnologia GaN sono disponibili al link: www.infineon.com/rfpower
Tecnologia all’avanguardia
All’inizio di quest’anno, Infineon ha presentato il suo vasto portfolio di brevetti relativo alla tecnologia GaN e ha annunciato l’espansione della sua offerta GaN-on-Silicon (GaN/Si) con processo epitassiale GaN/Si a 100V-600V, tecnologie derivanti dall’acquisizione di International Rectifier. La società ha inoltre annunciato una partnership strategica volta a integrare la modalità di accrescimento della struttura dei transistor GaN-on-Silicon all’interno dei propri contenitori SMD, fornendo un dispositivo di potenza GaN ad alta efficienza a 600V facile da usare, e con l’ulteriore vantaggio di una doppia sorgente.
Attualmente Infineon offre ai propri clienti un know-how completo sulla gamma di prodotti e tecnologie GaN. Inoltre la società è in grado di garantire una capacità produttiva unica, elevati volumi e una fonte alternativa per i dispositivi GaN nello specifico package SMD di Infineon.
www.infineon.com
