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ON Semiconductor ha introdotto una serie di nuovi circuiti integrati conformi alle norme AEC-Q100 adatti a supportare progetti di nuova generazione in ambito automotive.
La famiglia di line driver/receiver multi-point M-LVDS (low voltage differential signaling) NBA3N200/1/6S opera con una tensione di alimentazione di 3,3 V. Entrambi i dispositivi NBA3N200S NBA3N201S offrono una velocità di 200 megabit al secondo (Mbps) e presentano un range in tensione in modalità common-mode compreso tra -1V e 3,4 V.
Una isteresi di 25 mV sull’ingresso differenziale evita oscillazioni in uscita dovute alla perdita del segnale d’ingresso o a transizioni molto lente. Il dispositivo NBA3N206S supporta anch’esso una velocità di 200Mbps con un ricevitore Type-2 con una soglia di 0,1 V. Con questo livello di soglia è possibile rilevare circuiti aperti, condizioni di idle e varie altre condizioni di guasto sul bus che potrebbero danneggiare il sistema. Questi dispositivi sono destinati all’impiego automobilistico, ad esempio nei fari anteriori, in particolare per la trasmissione dei dati tra l’unità di controllo e il faro a LED.
Il doppio regolatore di tensione NCV8154 con dropout di 140 mV, accetta una tensione d’ingresso da 1,9 V a 5,25 V e dispone di due pin d’ingresso indipendenti. Ottimizzato per alimentare gli stadi RF all’interno dei sistemi di infotainment automobilistico, questo dispositivo è in grado di fornire una tensione molto stabile e particolarmente precisa, a bassissimo rumore e con, in più, un elevato rapporto di reiezione rispetto alla tensione di alimentazione (PSRR).
Il regolatore di tensione a basso drop-out (LDO) NCV8170 è stato progettato specificamente per le applicazioni portatili a batteria, quali i sistemi di accesso senza chiave, con un consumo di corrente di soli 500 nA (nanoampere). Inoltre, un controllo dinamico è in grado di fornire un impulso transitorio che aumenta le prestazioni durante la connessione wireless.
Il regolatore LDO NCV8715 da 50 mA presenta una elevata stabilità, una tensione massima di ingresso di 24 V e un consumo di corrente di appena 4,7 µA in qualsiasi condizione operativa. Questo dispositivo è particolarmente indicato per l’alimentazione di microcontrollori per automotive. I dispositivi NCV8154 / NCV8715 / NCV8170 includono una protezione termica e un limitatore di corrente che garantiscono un funzionamento affidabile.
On Semiconductor ha introdotto anche del MOSFET singoli a canale N in grado di fornire un valore incredibilmente basso di RDS (on) che riduce al minimo le perdite di conduzione e migliora il livello generale di efficienza energetica. I MOSFET da 40 V NVMFS5C404NL, NVMFS5C410NL, NVMFS5C423NL e NVMFS5C442NL presentano un valore tipico di RDS(on) a 10V di 0,56 mΩ, 0,71 mΩ, 1,6 mΩ e 2,2 mΩ rispettivamente.
A questi si aggiungono i dispositivi da 60 V NVMFS5C604NL, NVMFS5C612NL, NVMFS5C646NL e NVMFS5C670NL con un valore tipico di RDS(on) a 10V di 0,93 mΩ, 1,2 mΩ, 3,8 mΩ e 5,1 mΩ rispettivamente. Questi dispositivi ampliano il ricco portafoglio dei MOSFET di ON Semiconductor per impieghi di commutazione di potenza, commutazione di carico, controllo motore e per numerose altre applicazioni in ambito automotive.
I modelli NBA3N200S, NBA3N201S e NBA3N206S dispongono di contenitore SOIC-8; il NCV8154 è fornito in un package DFN-10, il NCV8715 presenta un package XDFN-6 mentre il modello NCV8170 è fornito in package XDFN-4 e SOT-563. I MOSFET NVMFS5C404NL, NVMFS5C410NL, NVMFS5C423NL, NVMFS5C442NL, NVMFS5C604NL, NVMFS5C612NL, NVMFS5C646NL e NVMFS5C670NL sono tutti disponibili in package SO-8FL.
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