La prima memoria flash NAND al mondo di tipo stacked a 16 die e tecnologia TSV da Toshiba

Toshiba ha annunciato lo sviluppo della prima memoria flash NAND al mondo di tipo stacked a 16 die (max.) con l’utilizzo della tecnologia Through Silicon Via (TSV). Il prototipo è stato presentato al Flash Memory Summit 2015, 11-13 agosto a Santa Clara, negli Stati Uniti.
Secondo lo stato della tecnica precedente, le memorie flash NAND di tipo stacked erano collegate insieme con wire bonding in un package. La tecnologia TSV utilizza invece gli elettrodi verticali e i collegamenti per il passaggio attraverso i die in silicio per la connessione. Ciò consente l’ingresso e l’uscita dei dati ad alta velocità, riducendo inoltre il consumo di energia.
La tecnologia TSV di Toshiba raggiunge una velocità di dati I/O superiore a 1 Gbps, maggiore rispetto a qualunque altra memoria flash NAND con tensione di alimentazione ridotta: 1,8 V per i circuiti principali, 1,2 V per i circuiti I/O e una riduzione del 50% circa di potenza nelle operazioni di scrittura, lettura e trasferimenti dati I/O.
La nuova memoria flash NAND è la soluzione ideale per bassa latenza, larghezza di banda elevata e alto IOPS/watt in applicazioni di storage flash, tra cui SSD di alta gamma nel settore enterprise.
Una parte di questa tecnologia applicata è stata sviluppata dalla NEDO (Organizzazione per le nuove energie e lo sviluppo tecnologico industriale).

 
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