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Toshiba Electronics Europe (TEE) ha esteso la sua serie di MOSFET a bassa tensione ad altissima efficienza aggiungendo nuovi componenti da 30 V e 60 V all’attuale gamma di dispositivi da 40 V. Tutti i nuovi modelli saranno disponibili in contenitori DSOP Advance, ultracompatti e termicamente efficienti, che migliorano in modo significativo la dissipazione del calore grazie al raffreddamento sulle due facce.
I nuovi MOSFET a canale N, un dispositivo da 30 V e un dispositivo da 60 V sono fabbricati con il processo a semiconduttore a trincea U-MOS IX-H di Toshiba di nuova generazione. Questo processo è stato progettato per offrire la migliore efficienza nella categoria, in un’ampia varietà di condizioni di carico, riducendo al minimo la resistenza di conduzione (RDS(ON)) e migliorando l’efficienza di commutazione grazie alla riduzione della carica in uscita (QOSS).
Questi nuovi MOSFET permettono di ridurre le perdite e di risparmiare spazio sulla scheda in un’ampia gamma di topologie circuitali per la conversione di potenza, come la commutazione sui rami high-side e low-side nella conversione DC-DC e il raddrizzamento sincrono al secondario nella conversione AC-DC. I nuovi dispositivi sono anche particolarmente adatti per il controllo di motori e per i moduli di protezione delle apparecchiature elettroniche che utilizzano batterie agli ioni di litio (Li-ion).
Alla tensione (VGS) di 10 V, la RDS(ON) massima per il MOSFET da 30 V è di soli 0,6 mΩ, mentre la COSS tipica è pari a 2160 pF. Il componente da 60 V offre valori tipici per RDS(ON) e COSS pari rispettivamente a 1,3 mΩ e 960 pF. Ciò garantisce una maggiore versatilità per ottimizzare le prestazioni in ogni specifica applicazione.
I due nuovi MOSFET UMOS IX-H sono disponibili in contenitori DSOP Advance a montaggio superficiale e basso profilo. Entrambi hanno un ingombro superficiale di soli 5 mm x 6 mm. La soluzione DSOP Advance può contribuire a ridurre significativamente le temperature di sistema, consentendo l’utilizzo di dissipatori più piccoli o eliminando del tutto la necessità di dissipatori. Tutti i MOSFET funzionano con temperature di canale fino a 175 °C.
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