F0480, amplificatore RF a guadagno variabile adattato internamente ad altissima linearità

IDTF0480

IDT (Integrated Device Technology) ha presentato il nuovo F0480, un amplificatore a guadagno variabile (VGA) per segnali a radio frequenza (RF) a banda larga da 400 a 2700 MHz e adattato internamente, che semplifica il processo di progettazione e facilita al contempo la sua realizzazione pratica in modo affidabile. Il dispositivo garantisce prestazioni eccezionali a radiofrequenza grazie alla combinazione delle tecnologie di attenuazione a passi digitali Glitch‑FreeTM e Zero-DistortionTM esclusive di IDT in un contenitore compatto di appena 5×5 mm.

Il chip offre una migliore protezione dall’umidità e dalle scariche elettrostatiche (ESD) ed è più robusto e affidabile rispetto ai dispositivi con tecnologia in arseniuro di gallio (GaAs), che richiedono reti di adattamento esterne e che possono essere soggetti ad un fenomeno ritardato di valanga secondaria. Si tratta di un amplificatore ideale per applicazioni quali stazioni base per reti cellulari 4G, ripetitori a banda larga, sistemi con antenne distribuite e ponti radio a microonde per stazioni base (backhaul).

L’utilizzo di queste tecnologie innovative ha permesso di realizare un VGA ad alte prestazioni con un punto di intercetta OIP3 ai vertici del mercato, pari a +41 dBm, con un guadagno massimo di 13 dB, un’ampia gamma di regolazione del guadagno di 23 dB in passi di 1 dB e un figura di rumore di 4 dB, il tutto con un assorbimento di corrente di soli 100 mA.

“L’amplificatore IDT F0480 offre delle caratteristiche uniche che aiutano i progettisti a soddisfare i più impegnativi requisiti nella realizzazione di amplificatori RF a guadagno variabile,” afferma Chris Stephens, senior director di IDT e responsabile delle definizione dei prodotti e marketing dei dispositivi wireless. “Il suo bassissimo consumo inferiore a 500 mW facilita la gestione termica, mentre la sua rete di adattamento interna ne semplifica notevolmente l’integrazione all’interno del sistema.”

Il dispositivo ha una resistenza alle scariche elettrostatiche di 2 kV e un livello di sensibilità all’umidità (MSL) pari a 1, rispetto al livello MSL3 tipico dei dispositivi in GaAs concorrenti. La caratteristica piatta del guadagno in funzione delle frequenza permette di compensare le perdite sulla scheda.

www.idt.com

 

 

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