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Toshiba Electronics Europe (TEE) ha estesa la sua gamma di dispositivi in carburo di silicio (SiC) con il lancio di un modulo di potenza ad alta efficienza da 3300 V e 1500 A. Il modulo MG1500FXF1US71 PMI (Plastic case Module IEGT) integra un transistor IEGT (Injection-Enhanced Gate Transistor) a canale N e un diodo a recupero rapido (FRD, Fast Recovery Diode) al carburo di silicio in un contenitore con un ingombro di soli 140 mm x 190 mm.
Il nuovo modulo di Toshiba permette di risparmiare energia, spazio e peso e riduce il rumore acustico in inverter di commutazione ad alta potenza e in sistemi di controllo per motori. Le applicazioni tipiche a cui è destinato comprendono mezzi ferroviari, controlli per motori industriali, impianti ad energie rinnovabili e sistemi di trasmissione e distribuzione dell’elettricità.
L’impiego di un diodo a barriera Schottky al SiC riduce significativamente la corrente di recupero inverso – e diminuisce quindi le perdite di attivazione – rispetto alle alternative al silicio. Combinando le proprietà del diodo con un migliore design interno del contenitore, che diminuisce le induttanze parassite, il modulo MG1500FXF1US71 riduce le perdite di recupero inverso anche del 97% rispetto ai moduli con i tradizionali diodi al silicio.
Il modulo MG1500FXF1US71 ha una tensione di isolamento nominale di 6000 VAC (valore efficace su un minuto) e sopporta una corrente di spegnimento di picco al collettore di 3000 A. La dissipazione di potenza al collettore (a 25°C) è di 5000 W. La gamma di temperature di funzionamento da -40°C a 150°C è compatibile con gli ambienti estremi che caratterizzano gli impieghi finali.
In fase di sviluppo, il modulo ibrido da 3300 V e 1500 A è stato incorporato in un inverter per trazione ferroviaria. Grazie a questo modulo, le dimensioni complessive del sottosistema di controllo del motore (incluso il sistema di raffreddamento) sono più piccole del 40%. Inoltre, l’utilizzo del modulo ha contribuito a ridurre il rumore acustico e a migliorare il comfort di marcia.
