NXP ha da poco introdotto 10 MOSFET small-signal low RDSon adatti per soluzioni automobilistiche, nei package DFN2020MD.6, SOT23 e SOT457. Basati sulla tecnologia Trench, i nuovi prodotti offrono una tensione VDS di 20-80V, protezione ESD fino a 4kV HBM e resistenza drain-source sotto i 27 mΩ.
Inoltre, i tre tipi contenuti nel package DFN2020MD-6 offrono la caratteristica unica di elementi laterali saldabili a stagno per le ispezioni di saldatura ottica, e un pad di scarico a vista per una ottima conduzione termica.
Tutti i prodotti sono qualificati e adatti per progetti di efficienza energetica in applicazioni come relay e driver di linea ad alta velocità, interruttori di carico high-side e low-side e circuiti di commutazione.
Caratteristiche
- RDSon bassa fino a 27 mΩ
- MOSFET a tecnologia Trench
- Protezione ESD fino a 4kV in accordo con HBM
- Qualificato AEC-Q101
Principali applicazioni
- Driver di relay
- Driver di linea ad alta velocità
- Interruttori di carico low-side e high-side
- Circuiti commutatori
