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Toshiba Electronics Europe (TEE) presenta il primo MOSFET di potenza da 800 V basato sulla tecnologia a supergiunzione ad alta tensione DTMOS IV. Il modello TK17A80W è realizzato grazie al nuovissimo processo epitassiale singolo di Toshiba ed è l’ideale per apparecchiature che richiedono un’elevata affidabilità, efficienza energetica e un design compatto. Le applicazioni tipiche di questo nuovo transistor comprendono alimentatori e adattatori, convertitori fly-back e impianti di illuminazione a LED.
Rispetto ai processi multiepitassiali, la tecnologia a trincea profonda (Deep Trench) di Toshiba offre una minore resistenza di conduzione (RDS(ON)) alle alte temperature e ridotte perdite di spegnimento (EOSS) rispetto alle tecnologie delle precedenti generazioni. Grazie al minore aumento della RDS(ON) alle alte temperature e alla ridotta EOSS, si riescono a realizzare alimentatori più efficienti e sistemi elettronici di dimensioni più compatte.
La tecnologia DTMOS IV permette di ottenere commutazioni più veloci riducendo la capacità parassita tra gate e drain. La capacità CISS tipica per il circuito integrato TK17A80W è di soli 1450 pF (VDS = 300 V, f = 100 kHz). I valori massimi sono 800 VDSS, ±30 VGSS e una corrente di drain di 17 A. La RDS(ON) massima è di 0,3 Ohm.
La produzione di massa del circuito integrato TK17A80W in contenitore TO-220SIS interamente isolato avrà inizio nel quarto trimestre del 2014. I campioni sono già disponibili. Seguiranno versioni con diversi parametri operativi, anche nei contenitori TO-220, DPAK e IPAK.
