NXP ha rilasciato quattro nuovi MOSFET da 20V a canale P e N in contenitore DFN1006. I dispositivi PMZ600UNE, PMZ950UPE, PMZB600UNE, e PMZB950UPE sono realizzati con la tecnologia TrenchMOS che in questo caso garantisce un isolamento ESD maggiore di 1 kV HBM e una resistenza RDSon inferiore di 470 milliohm. Si tratta dunque di chip adatti ad applicazioni in spazi ridotti, ad esempio, per commutare, attivare carichi e comandare relè in smartphone e tablet.
Tutti i nuovi modelli utilizzano un piccolissimo contenitore senza piombo DFN1006 che presenta un ingombro di appena 1,0 x 0,6 x 0,37 mm. Questi modelli a singolo MOSFET fanno seguito alle soluzioni con doppio MOSFET PMDXB600UNE, PMDXB950UPE, e PMCXB900UE che utilizzano un package tipo DFN1010.
Il portafoglio NXP di dispositivi a 20V a singolo e doppio MOSFET comprende numerose versioni di package per offrire la massima flessibilità di progettazione, risultando particolarmente adatti per sistemi portatili e dispositivi indossabili.
Caratteristiche e vantaggi
- Tecnologia MOSFET Trench;
- Package senza piombo dalle dimensioni estremamente ridotte, fino a 1,0 x 0,6 millimetri;
- Protezione nei confronti delle scariche elettrostatiche (ESD) maggiore di 1 kV (HBM);
- Resistenza RDSon = da 70 mOhm a 1,02 Ohm
- Bassissima tensione di funzionamento VGs(th) = 0,7 V
Principali applicazioni
- Controllo relè
- Driver ad alta velocità
- Commutazione carico di tipo low-side
- Circuiti switching
