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Renesas Electronics ha presentato 12 nuove versioni dei prodotti SRAM avanzati a basso consumo (Advanced LP SRAM) delle serie RMLV0416E, RMLV0414E e RMLV0408E, i dispositivi SRAM (static Random Access Memory) di punta della società. I nuovi dispositivi di memoria hanno una capacità di 4 megabit (Mb) e utilizzano un processo di fabbricazione ultrafine con una dimensione del circuito di 110 nanometri (nm).
Le nuove SRAM consentono un funzionamento privo di errori software e latchups. Questi prodotti SRAM altamente affidabili raggiungono un tasso di errore software equivalente a quello delle Static RAM Renesas esistenti che impiegano un processo da 150 nm. Esse inoltre forniscono un funzionamento a bassa potenza con una corrente di standby di 2 microampere (µA) a 25 °C, che le rende adatte per l’archiviazione dei dati in dispositivi alimentati a batteria.
Le RAM statiche a bassa potenza di Renesas sono diffuse in molti settori, tra i quali l’industriale, office automation, communication, automotive e prodotti consumer e la società ha raggiunto il più alto market share mondiale di tali prodotti nel 2012.
Recentemente, poiché i produttori di sistemi hanno raggiunto prestazioni più elevate e più avanzate funzionalità, le SRAM sono diventate un fattore importante per migliorare l’affidabilità complessiva del sistema. In particolare, le RAM statiche usate per memorizzare informazioni importanti come i programmi di sistema o i dati di fatturazione devono fornire un elevato livello di affidabilità, e particolare attenzione è ora incentrata sulle precauzioni per ridurre gli errori software causati da radiazioni alfa e da radiazioni da neutroni cosmici.
Le RAM Statiche LP Renesas hanno strutture in cui i nodi di memoria individuali all’interno delle celle di memoria hanno ciascuno un condensatore aggiunto, con conseguente elevatissima resistenza agli errori software. Un metodo tipico di gestire gli errori software dopo che questi si verificano è l’inclusione di un circuito interno di correzione del codice di errore (ECC) nella SRAM o nei sistemi finali. Questo approccio tuttavia ha i suoi limiti, e ci possono essere casi in cui il circuito di ECC non è in grado di gestire gli errori che interessano più bit. Al contrario, le SRAM LP avanzate utilizzano misure strutturali per evitare che gli errori software stessi si verifichino. I risultati della valutazione degli errori software di sistema delle SRAM LP avanzate a 150 nm che sono attualmente in produzione di massa, dimostrano che in termini pratici, questi prodotti possono essere definiti software error free.
Inoltre, i transistor a canale P delle celle SRAM sono realizzati in silicio policristallino a film sottile (TFT) e vengono impilati in cima ai transistor MOS a canale N sul substrato di silicio. In questo modo solo i transistor a canale N sono formati sotto il substrato di silicio, impedendo che si possano formare dei dispositivi parassiti all’interno dell’area di memoria rendendo teoricamente impossibili i latchups (fenomeno nel quale una struttura NPN o PNP entra nello stato ON a causa della sovratensione dell’alimentazione o sul pin di ingresso).
Queste caratteristiche rendono le RAM Statiche LP avanzate di gran lunga le più affidabili tra i prodotti di tipo CMOS che utilizzano una configurazione di cella di memoria convenzionale. Le SRAM LP possono contribuire a prestazioni e affidabilità ancora migliori nelle applicazioni in cui un elevato livello di affidabilità è essenziale, come ad esempio le attrezzature di automazione di fabbrica, gli strumenti di misura, le apparecchiature impiegate in reti intelligenti e nei sistemi di trasporto.
Inoltre, la tecnologia delle Advanced LP SRAM consente di ridurre notevolmente le dimensioni della cella. Per esempio, la dimensione di cella LP SRAM a 110 nm è paragonabile a quella di una SRAM full CMOS fabbricata usando un processo a 65 nm.
Renesas intende rafforzare la sua linea di SRAM a 110 nm con l’aggiunta di prodotti a 8 Mb e 64 Mb.
I primi campioni delle nuove RAM Statiche di Renesas Electronics saranno disponibili nel mese di novembre 2013. La produzione di massa è prevista a partire dal dicembre 2013.
