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ON Semiconductor presenta i suoi nuovi IGBT Field Stop per la conversione di potenza ad alta efficienza, ideali per sistemi di riscaldamento e cottura a induzione, controllo motori e inverter. I componenti, siglati NGTB15N120, NGTB20N120 e NGTB25N120, sopportano una tensione collettore-emettitore di 1.200 volt (V) e sono realizzati con la tecnologia Deep Trench utilizzando wafer molto sottili e altre tecniche costruttive che consentono di ottenere bassissime perdite di turn-off e di richiedere ridotte tensioni di gate in stato di ON; ciò permette di minimizzare le perdite e i tempi di commutazione.I dispositivi sono incapsulati in contenitori TO-247, sono disponibili con correnti di ON di 15, 20 e 25 A e integrano diodi a bassissima caduta di tensione diretta e basso tempo di ripristino, per venire incontro alle esigenze tipiche di quelle applicazioni in cui ridurre i tempi di commutazione e con essi le perdite, è determinante, soprattutto oggi che in tutte le applicazioni, non ultime quelle elettriche ed elettroniche, risparmiare energia è di vitale importanza.
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