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Toshiba estende la famiglia di MOSFET a bassa tensione e alta velocità con nuovi dispositivi ultraefficienti a 60 V e 120 V che permettono di risparmiare spazio e ridurre le perdite nel progetto di raddrizzatori sincroni sul ramo secondario dei convertitori di potenza.
Sviluppati appositamente per alimentatori a commutazione, in applicazioni come adattatori AC/DC, apparecchiature industriali, sistemi di telecomunicazione e server, i sedici nuovi MOSFET a trincea utilizzano il processo Toshiba di ottava generazione U-MOSVIII-H. Questo processo garantisce significativi miglioramenti in termini di buon compromesso tra una bassa resistenza di conduzione (RDS(ON)) e una bassa capacità di ingresso (Ciss), migliora la velocità di commutazione e riduce al minimo il rumore irradiato.
Disponibile in un contenitore TO-220 o TO-220SIS a “isolamento intelligente”, la nuova gamma comprende otto MOSFET a 60 V e otto MOSFET a 120 V. Presentando una costante di tempo RDS(ON)*Ciss inferiore rispetto ai dispositivi di precedente generazione, i nuovi MOSFET hanno meno perdite sia in termini di conduzione che in termini di pilotaggio, il che consente di ottenere un aumento significativo dell’efficienza. Il nuovo processo contribuisce inoltre ad aumentare la velocità di commutazione e a minimizzare il rumore irradiato.
I nuovi MOSFET comprendono i dispositivi a 60 V TK100E06N1 (TO-220) e TK100A06N1 (TO-220SIS) con resistenze di conduzione tipiche (@ VGS = 10 V) di soli 1,9 mΩ e 2,2 mΩ rispettivamente. La serie a 120 V comprende i dispositivi TK56E12N1 (TO-220) e
TK56A12N1 (TO-220SIS) con resistenze di conduzione tipiche di 6,1 mΩ e 6,5 mΩ (@ VGS = 10V) rispettivamente.
