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Se avete un dubbio sull’integrità di un MOSFET di un vostro circuito malfunzionante, esiste una tecnica che utilizzando il comune tester permette di verificare la presenza o assenza del canale a riposo e l’eventuale interruzione o cortocircuito: disponete un puntale sul terminale di drain e uno su quello di source (in questo caso il gate non c’entra) senza curarvi della polarità, a meno che il MOSFET non abbia il diodo di protezione; se è così, per il tipo a canale N portate il puntale positivo sul drain, ovvero fate l’opposto per il canale P. Nei MOSFET a riempimento, a riposo dovreste misurare resistenza praticamente infinita; se il valore letto è particolarmente basso o prossimo a zero, il transistor è danneggiato (il chip si è fuso per un sovraccarico). Nei MOSFET a svuotamento, a riposo la resistenza misurata varia da qualche ohm a diverse centinaia di ohm: dipende dalla potenza che il componente può sopportare, nel senso che transistor da pochi watt hanno una resistenza del canale molto alta e invece quelli per alte potenze presentano appena pochi ohm. Se la resistenza è troppo alta, il MOSFET è danneggiato.
I MOSFET di potenza, sovente hanno un diodo di protezione tra drain e source; usando la portata per la prova dei diodi, noterete che quando i puntali sono collegati in un certo modo, il tester indicherà una resistenza anomala del canale: ciò è del tutto normale e non deve far pensare a un guasto. Prendiamo ad esempio un MOSFET di potenza a riempimento a canale N in package TO220 tipo l’IRF530: applicando il puntale rosso al source e il nero al drain, si registra una resistenza di poche centinaia di ohm perché il diodo di protezione è in conduzione. Invertite i puntali: con il nero sul source e il rosso sul drain, la resistenza sarà infinita o quasi; dovesse essere ancora troppo bassa o nulla, il MOSFET sarebbe effettivamente in cortocircuito e quindi da buttare.
Ora prestate attenzione a una cosa: nella prova dei MOSFET, l’effetto capacitivo del gate potrebbe causare false indicazioni: siccome il tester applica una certa tensione, se toccate con i puntali gate e source, il componente può restare accesso e quindi condurre tra drain e source. Per spiegare la cosa supponiamo di voler controllare un MOSFET a canale N di tipo enhancement e di toccare con il puntale positivo il gate e con il negativo il source: in queste condizioni si crea il canale, perché il componente è polarizzato direttamente. Se ora spostiamo il puntale positivo sul drain, incredibilmente vedremo il transistor condurre, anche se il gate non è polarizzato; in realtà ciò accade perché il gate ha accumulato una certa carica e per un po’ rimanein stato ON. Per evitare di ritenere guasto (in cortocircuito tra drain e source) un MOSFET, è quindi importante cortocircuitare, prima della misura della resistenza del canale, gate e source con un cacciaviti di metallo; ciò vale per i MOSFET enhancement-mode.
Per quelli a svuotamento, l’accumulo di carica sul gate può interrompere il canale e far sembrare il transistor interrotto; anche qui è utile cortocircuitare G ed S prima della misura.
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