Un po’ transistor, un po’ MOSFET: ESBT – Tips&Tricks

Nel panorama dei componenti elet­tronici a semiconduttore destinati al controllo della potenza, si è inserito di recente l’ESBT.

Cos’è l’ESBT?

Sostanzialmente è una sorta di circuito integrato realizzato però in un package da transistor di potenza, contenente un BJT NPN in serie al cui emettitore si trova un MOSFET a canale N di tipo enhancement-mode.

Il suo funzionamento è il seguen­te: tenendo sempre polarizzata la base, il componente vede scorrere corrente nel proprio collettore solo quando l’emettitore del BJT viene effettivamente chiuso sul contatto E, cosa alla quale provvede il MOSFET.

Circuito equivalente (sinistra), schema applicativo (centro)
e simbolo grafico (destra) dell’ESBT.

Si può quindi affermare che l’ESBT è un transistor NPN in cui l’emettitore viene commutato da un MOSFET; da qui il nome ESBT, che è l’acronimo di Emitter Switched Bipolar Transistor, ossia transistor bipolare ad emettito­re commutato.

L’ESBT si comanda in tensione come un FET, ha elevatissima resistenza di gate e tempi di commutazione estremamente bassi, dovuti al fatto che per far accendere e interdire il componente non si gioca sulla polarizzazione della base, bensì sul circuito di emettitore, quindi non si deve fare i conti con la lentezza di ricombinazione degli elettroni nella base, che essendo piccola rispetto ad emettitore e collettore dispone di meno lacune di quelle occorrenti alla ricombinazione del gran flusso di elettroni che l’attraversa (nel BJT le regioni di collettore ed emettitore sono drogate con alta percentuale di impurità mentre quella di base ha uno scarso livello di drogaggio).

 

Trovi i contenuti della rubrica Tips&Tricks in anteprima nel prossimo numero della rivista Elettronica In!

3 Commenti

  1. Sappiamo che gli IGBT hanno rispetto ai mosfet dei vantaggi in alta tensione, ma non capisco che vantaggi possano dare gli ESBT.

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