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Il G3VM-21MT combina i vantaggi delle tecnologie a relè meccaniche e MOSFET per fornire una soluzione definitiva per i test di commutazione.
In un mondo in cui i semiconduttori e altri sistemi di collaudo la fanno da padrone, Omron Electronics Components Europe ha creato un modulo basato su relè MOSFET in grado di minimizzare la dispersione di corrente.
Con una innovativa struttura del circuito a T, il G3VM-21MT Omron offre un livello di dispersione di corrente eccezionalmente basso, pari a 1pA (pico-Amp) o meno, assicurando così misurazioni accurate in tutti i tipi di apparecchiature di test. In precedenza i relè meccanici erano preferiti nelle apparecchiature di collaudo, sia a semiconduttore sia di altro tipo, in parte proprio per il loro basso livello di dispersione di corrente. Per contro, i relè meccanici hanno una durata di vita di gran lunga inferiore a causa dell’abrasione dei contatti che nel tempo riduce l’accuratezza delle misurazione. Negli utilizzi più intensivi, potevano essere necessarie sostituzioni frequenti, alzando i costi di manutenzione.
Con una struttura di circuito a T che trasmette la maggior parte della dispersione a terra, il G3VM-21MT combina efficacemente i vantaggi dei relè meccanici e MOSFET per fornire una soluzione di commutazione accurata, compatta e duratura, senza contatti meccanici. Le dimensioni compatte di 5mm x 3,75mm x 2,7mm sono assicurate grazie all’inclusione del circuito a T all’interno del modulo. Il dispositivo è a montaggio superficiale ed è proposto in modalità SPST, senza necessità di configurazione. Presenta un incredibile carico massimo di tensione di 20V e la sua performance di isolamento è inferiore a -30dB a 1GHz.
Omron sta lavorando a ulteriori moduli a relè basati su MOSFET con circuito a T, inclusi modelli ad alta densità di corrente e ad alta tensione.
