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Aiuta i progettisti ad applicare l’efficienza energetica del carburo di silicio in applicazioni industriali, HEV automobilistiche e di centri dati.
Littelfuse ha annunciato oggi GDEV, Piattaforma di valutazione per Gate Drive (Gate Drive Evaluation Platform). La nuova piattaforma di valutazione aiuta i progettisti a valutare MOSFET SiC, diodi Schottky SiC e altri componenti come i Gate Drive, in modo da comprendere meglio come le tecnologie al carburo di silicio si comporteranno nei convertitori in condizioni di funzionamento continuo.
GDEV offre terminali ad attacco rapido che consentono un confronto rapido e coerente di diversi circuiti di Gate Drive, a differenza della maggior parte delle altre piattaforme di valutazione SiC. GDEV supporta una tensione di ingresso di 800 V DC e una frequenza di commutazione fino a 200 kHz.
Mercati e applicazioni tipiche di GDEV includono:
- Stazioni di ricarica automobilistiche EC/HEV
- Alimentatori industriali
- Server di centri dati
- Stazioni base di telecomunicazione
- Inverter per energia solare/eolica
“La piattaforma di valutazione GDEV rappresenta un’aggiunta fondamentale al nostro portafoglio di tecnologia SiC, poiché il SiC è ancora relativamente nuovo e vi sono delle incognite in relazione alle caratteristiche di funzionamento in varie condizioni”, ha affermato Corey Deyalsingh, Direttore, Controllo potenza presso Littelfuse. “GDEV aiuta gli ingegneri a comprendere le caratteristiche di funzionamento dei dispositivi SiC. Utilizzando questa piattaforma di valutazione, i progettisti saranno maggiormente informati circa le incredibili opportunità di efficienza energetica che offrono le tecnologie SiC. Sulla base di tale conoscenza, prevediamo che i progettisti saranno più propensi a incorporare il Carburo di Silicio nelle loro future progettazioni.”
La piattaforma di valutazione GDEV di Littelfuse consente agli utenti di:
- Valutare il funzionamento continuo di diodi e MOSFET di potenza SiC a tensione e corrente nominali, fornendo reale potenza al carico.
- Analizzare gli impatti a livello di sistema associati ai design basati su SiC inclusi miglioramenti di efficienza, emissioni EMI e componenti passivi (dimensione, peso, costo).
- Confrontare le prestazioni delle diverse soluzioni di Gate Drive in condizioni di test ottimizzate e ben definite.
- Testare i circuiti di Gate Drive in condizioni di funzionamento continue per valutare le prestazioni termiche e l’immunità EMI.
Per maggiori informazioni, leggere la nota applicativa della piattaforma di valutazione.
Ulteriori informazioni sono disponibili sulla pagina GDEV1 (LF-SIC-EVB-GDEV1).
