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Con alle spalle oltre 20 milioni di ore di test, il dispositivo FET GaN ad alta tensione con driver e protezione integrata raddoppia la densità di potenza nelle applicazioni industriali e per telecomunicazioni.
Texas Instruments (TI) ha annunciato oggi una nuova gamma di stadi di potenza al nitruro di gallio (GaN) da 600 V, RDS ON di 50 mΩ e 70 mΩ, con supporto per applicazioni fino a 10 kW. La gamma LMG341x consente ai progettisti di creare dispositivi più piccoli, più efficienti e dalle prestazioni più elevate rispetto alle soluzioni con transistor a effetto di campo in silicio, nel settore degli alimentatori AC/DC, della robotica, delle energie rinnovabili, delle infrastrutture di rete, delle telecomunicazioni e dell’elettronica personale. Ulteriori informazioni sono disponibili sulle pagine web dei dispositivi LMG3410R050, LMG3410R070 e LMG3411R070.
La gamma dei circuiti integrati FET al GaN di TI costituisce un’alternativa intelligente ai tradizionali FET GaN stand-alone e cascade, integrando funzionalità di protezione e caratteristiche uniche che semplificano la progettazione, consentono una maggiore affidabilità del sistema ed ottimizzano le prestazioni degli alimentatori ad alta tensione. Grazie al rapido rilevamento integrato della limitazione della corrente e della sovratemperatura (inferiore a 100 ns), i dispositivi sono in grado di prevenire sia eventi indesiderati che l’instabilità termica, con l’interfaccia di sistema che garantisce funzionalità di auto-monitoraggio.
Caratteristiche e vantaggi fondamentali di LMG3410R050, LMG3410R070 ed LMG3411R070:
- Soluzioni più piccole e più efficienti: lo stadio di potenza integrato GaN di TI raddoppia la densità di potenza e riduce le perdite dell’80% rispetto ai tradizionali MOSFET. Ogni dispositivo è in grado di operare a frequenze di commutazione elevate di 1 MHz e con slew rate fino a 100 V/ns.
- Affidabilità del sistema: la gamma ha alle sue spalle 20 milioni di ore di test sull’affidabilità dei dispositivi, compresi i test di commutazione accelerata e di hard-switching nell’applicazione. Inoltre, ogni dispositivo dispone di una rapida protezione (< 100 ms) nei confronti delle sovratemperature e sovraccorrenti.
- Versioni per ogni livello di potenza: ogni dispositivo della gamma presenta un FET al GaN, driver e caratteristiche di protezione con RDS ON di 50 mΩ o 70 mΩ, per realizzare una soluzione a singolo chip per applicazioni che vanno da 100 W a 10 kW.
Questi circuiti integrati sono già in package QFN (Quad Flat No Lead) split-pad da 8 mm x 8 mm. LMG3410R050, LMG3410R070 ed LMG3411R070 sono proposti rispettivamente al prezzo di US $ 18,69, $ 16,45 and $ 16,45 cadauno per quantità da 1.000 pezzi.
Al fine di rendere più veloce il processo di progettazione, TI mette a disposizione i moduli di valutazione LMG3410EVM-018, LMG3410-HB-EVM ed LMG3411EVM-029 nonché le seguenti note applicative e articoli realativi alla tecnologia GaN: «Protezione da sovracorrente in progetti di potenza ad alta densità»; «Considerazioni termiche per la progettazione di stadi di potenza al GaN»; «Metà dello spazio, il doppio della potenza: come il nitruro di gallio sta rivoluzionando la robotica, le energie rinnovabili, le telecomunicazioni e altro ancora». La gamma completa di soluzioni Texas Instruments è disponibile al seguente link.
La presenza di TI a electronica 2018
Texas Instruments presenterà una dimostrazione del collegamento alla rete con supporto cloud da 10 kW nel padiglione C4 – Stand 131 in occasione di Electronica, a Monaco di Baviera, in Germania, dal 13 al 16 novembre 2018. Sviluppata in collaborazione con Siemens, la dimostrazione utilizza il dispositivo GaN LMG3410R050 da 600 V con driver e protezione integrati per consentire agli ingegneri di ottenere un’efficienza del 99% e una riduzione delle dimensioni dei componenti di potenza fino al 30% rispetto a un design tradizionale in silicio.
