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Analog Devices in collaborazione con Microsemi Corporation ha presentato oggi, per la prima volta sul mercato, una scheda di valutazione per moduli di potenza SiC half-bridge fino a 1200 V e 50 A @ 200 kHz di frequenza di commutazione. La scheda isolata è strutturata per aumentare l’affidabilità dei progetti, riducendo nel contempo la necessità di costruire ulteriori prototipi -risparmiando tempo, riducendo i costi e il “time to market” delle aziende impegnate nella conversione di potenza e nei sistemi di energy storage.
Analog Devices e Microsemi presenteranno la scheda all’APEC 2018, che avrà luogo dal 4 all’8 Marzo 2018 a San Antonio, Texas.
La relativa pagina di prodotto consente di scaricare ulteriore documentazione e ordinare le board.
Questa nuova scheda può essere utilizzata come il componente principale di topologie più complesse, come convertitori full-bridge o multi-livello, per il completo debug su banco delle soluzioni degli utenti. Può anche funzionare come piattaforma di valutazione finale o configurata come convertitore per il test e la valutazione completa del gate driver ADuM4135 di Analog Devices, realizzato con la tecnologia di isolamento digitale iCoupler, e del driver DC-DC LT3999 in un sistema High-Power.
La scheda di valutazione ad alta potenza permette ai moduli power SiC di Microsemi di offrire diversi vantaggi, come un banco prova comune, maggiore densità energetica per ottenere dimensioni e costi ridotti, substrati isolati e conduttivi e capacità parassite ridotte al minimo per efficienza e prestazioni più elevate; il tutto unito a un’eccellente gestione termica. Questi attributi rendono la scheda particolarmente adatta ad applicazioni quali la carica dei veicoli elettrici (EV), la ricarica a bordo degli ibridi (HEV)/EV, convertitori DC-DC, alimentatori switching, controllo dei motori di alta potenza e sistemi di attuazione per avionica, macchine per lavorazione plasma/semi, sistemi laser e per saldatura, apparati MRI e a raggi-X.
Specifiche di prodotto
- Topologia Half-bridge
- 1200 V, 50 A@ 200 kHz
- CMTI >100 kV/µs
- Isolamento galvanico 1,2 kV
- Ingressi PWM indipendenti per High Side e Low Side (controllo singolo con 70 ns di dead-time per controllo)
- 1 LT3999 + 1 ADuM4135 (High Side e Low Side)
- Protezione dalla de-saturazione completamente testata
- Terminali per i collegamenti V+, V- e AC a bassa induttanza e alta corrente
- Supporta i moduli di potenza SiC half-bridge di Microsemi con package standard SP1 come l’APTMC120AM20CT1AG e l’APTMC120AM55CT1AG
La scheda di valutazione EV-MS4135PL1Z-UI costa 495 USD (inviare una mail a [email protected] per verificare la disponibilità).
