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Facendo ricorso ai MOSFET da 500 V di nuova generazione in grado di garantire un più elevato livello di efficienza, STMicroelectronics ha ampliato la serie di moduli Intelligent Power Modules (IPM) nano SLLIMM per il pilotaggio di motori, integrando nuove funzionalità e aggiungendo nuovi contenitori che consentono una miniaturizzazione più spinta. I moduli di nuova generazione con potenza sino a 100 W offrono così una maggior efficienza e flessibilità.
Con una corrente di 1 o 2A, le nuove applicazioni dei moduli IPM da 100W comprendono ora anche i compressori per frigorifero, lavatrici, motori per lavastoviglie, pompe di ricircolo, ventilatori e altre apparecchiature controllate da dispositivi switching con frequenza di commutazione fino a 20 kHz. La massima temperatura operativa di 150 °C ne consente l’utilizzo anche in ambienti difficili.
I moduli integrano un ponte trifase MOSFET e gate driver HVIC, con funzionalità particolari quali un op-amp non utilizzato e un comparatore che può essere impiegato come sensore di corrente o come protezione da sovracorrente. Le altre dotazioni di sicurezza comprendono un circuito di protezione contro i picchi di corrente che potrebbero danneggiare i MOSFET del ponte, un’uscita per la segnalazione dei guasti, un ingresso per lo spegnimento, e un ulteriore sistema intelligente di spegnimento. Un termistore integrato (opzionale) aiuta a semplificare la protezione da temperatura eccessiva.
Oltre al package con i pin disposti a zig-zag, la nuova serie è disponibile anche con pin disposti in-line. Queste opzioni consentono una maggior flessibilità nel progettare il PCB e un risparmio di spazio che consente di rispondere alle esigenze dei sempre più piccoli sistemi meccatronici e laddove esistano problemi di spazio.
Le elevate prestazioni termiche dei contenitori combinate con la maggiore efficienza di tutti i MOSFET da 500V di ST, dà anche ai progettisti la libertà di realizzare prodotti con dissipatori di calore più piccoli o, addirittura, senza dissipatori di calore nelle applicazioni a bassa potenza. La bassa resistenza di ON dei MOSFET (3,6Ω e 1,7Ω, per i modelli, rispettivamente, da 1A e 2A) si combina con le basse perdite di commutazione per assicurare un’elevata efficienza energetica complessiva.
I MOSFET presentano connessioni di source separate che rendono più semplice l’impiego di tre resistenze di shunt separate per un controllo di tipo FOC (field-oriented motor control) oppure di una sola resistenza di shunt per un controllo di tipo trapezoidale. I moduli integrano anche i diodi di bootstrap riducendo ulteriormente la necessità di componenti esterni.
I modelli STIPN1M50T-H, STIPN1M50-H, STIPN2M50T-H (L), e STIPN2M50-H sono già in produzione.
