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IR HiRel, la società californiana acquistata da Infineon Technologies nel 2014 e che ha mantenuto una sua autonomia, ha presentato due nuovi MOSFET resistenti alle radiazioni basati sulla piattaforma tecnologia proprietaria a canale N R9. Rispetto alle precedenti tecnologie, questa soluzione offre significativi miglioramenti per quanto riguarda il peso, le dimensioni e la potenza. Tutto ciò è molto importante nei satelliti ad elevata capacità, al fine di ottenere un sempre più basso costo per bit.
I nuovi MOSFET da 100 V, 35 A sono ideali per applicazioni mission-critical che richiedono una durata di funzionamento fino a 15 anni ed oltre; le applicazioni più importanti riguardano DCD-DC converter certificati space-grade, bus converter, controller per motori e tutte le altre applicazioni di commutazione ad elevata velocità.
I modelli IRHNJ9A7130 e IRHNJ9A3130 sono caratterizzati per TID (dose totale ionizzanti) con immunità alle radiazione di 100 e 300 Krads rispettivamente. L’RDS(on) di 25 mΩ è del 33 per cento inferiore rispetto alla precedente generazione di MOSFET: in combinazione con la maggiore capacità di corrente di drain (35 A contro 22 A), questo permette ai MOSFET di fornire maggiore densità di potenza e ridurre le perdite di potenza in applicazioni di commutazione.
I MOSFET presentano migliore immunità nei confronti di Single Event Effect (SEE) e sono stati caratterizzati per prestazioni utili fino a 90 MeV/(mg/cm²) per Linear Energy Transfer (LET), un miglioramento del 10% rispetto alle soluzioni precedenti. Entrambi i nuovi dispositivi utilizzano un leggerissimo ed ermeticamente saldato package ceramico a montaggio superficiale (SMD-0.5) che misura solamente 10,28 millimetri x 7,64 millimetri x 3,12 millimetri. I nuovi MOSFET sono disponibili anche in bare die.
Entrambi i MOSFET IRHNJ9A7130 e IRHNJ9A3130 sono già in produzione.
