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Toshiba Electronics Europe ha ampliato ulteriormente la propria famiglia U-MOS IX-H di MOSFET compatti, ad alta efficienza e ad alta velocità di commutazione con un nuovo dispositivo SMD che offre un valore massimo di VDSS di 60V e una corrente di drain massima di 100A.
Il dispositivo TPH1R306PL è fornito in un package a montaggio superficiale SOP Advance e presenta una resistenza di on (RDS(ON)) tipica di appena 1,0mΩ (@ VGS = 10V). Dato che il sistema U-MOS IX-H di Toshiba consente di ottenere il miglior compromesso della sua categoria fra la RDS(ON) e la capacità in uscita/carica in uscita, la QOSS tipica è di appena 77,5nC. Ciò consente ai progettisti di migliorare ulteriormente le prestazioni a livello di sistema e l’efficienza, aumentando le velocità di commutazione e riducendo le perdite di commutazione.
Come per gli altri membri della famiglia U-MOS IX-H, il MOSFET TPH1R306PL è adatto per l’uso nei convertitori DC-DC e al lato secondario degli alimentatori AC-DC. Scegliendo il MOSFET, i progettisti di questi ultimi hanno l’opportunità di migliorare significativamente l’efficienza a livello di sistema, essendo la QOSS una delle cause di perdita di potenza in fase di rettificazione sincrona.
Grazie all’alta capacità di corrente impulsata (Idp) fino a 500A e a una temperatura massima di canale più elevata, pari a 175°C, il nuovo MOSFET si presta anche per applicazioni nei motori, negli elettrodomestici senza fili e nelle macchine utensili. Per applicazioni che richiedono prestazioni ancora migliori in termini di dissipazione di potenza è disponibile una versione raffreddata su due lati (TPW1R306PL).
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