Non ci sono prodotti a carrello.
Toshiba Electronics Europe ha presentato due nuovi transistor bipolari di piccole dimensioni per lo stadio di uscita dei sistemi audio ad alta fedeltà. I nuovi transistor 2SA1943N e 2SC5200N offrono la medesima qualità sonora dei ben noti dispositivi 2SA1943 e 2SC5200, ma in un contenitore TO-3P(N) di lunghezza e larghezza pari a tre quarti delle dimensioni del contenitore TO-3P(L) di precedente generazione, il che permette di ridurre l’ingombro superficiale sulla scheda, dando ai progettisti la possibilità di realizzare prodotti più versatili, pur mantenendo la potenza (Pc) a 150 W.
Il transistor 2SA1943N ha una tensione massima nominale tra collettore ed emettitore (VCEO) pari a -230 V e una corrente nominale continua di collettore (IC) pari -15 A, mentre il modello 2SC5200N è caratterizzato da una VCEO massima di 230 V e da una IC di 15 A.
Il transistor 2SA1943N ha un guadagno di corrente in c.c. minimo hFE di 80 (VCE = -5 V e IC = -1 A) e hFE di 35 (VCE = -5 V e IC = -7 A), mentre il transistor 2SC5200N ha un hFE pari a 80 (VCE = 5 V e IC = 1 A) e un hFE pari a 35 (VCE = 5 V e IC = 7 A). Un altro vantaggio offerto da questo transistor è l’elevata linearità di hFE e di VBE. Entrambi i dispositivi presentano una frequenza di transizione tipica (ft) di 30 MHz.
I nuovi dispositivi vengono forniti in un nuovo contenitore TO-3P(N) di dimensioni pari a soli 15,9 mm x 40,5 mm x 4,8 mm.
www.toshiba.semicon-storage.com
