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IDT ha annunciato di aver ampliato la sua famiglia di componenti elettronici in silicio per applicazioni avanzate a radiofrequenza (RF) con l’aggiunta di due nuovi attenuatori a passo digitale (DSA, Digital Step Attenuator) della famiglia Glitch-FreeTM e del primo prodotto di una nuova famiglia di attenuatori variabili controllati in tensione (VVA, Voltage Variable Attenuator). Questi attenuatori di nuova generazione sono caratterizzati da ampia larghezza di banda, bassa perdita di inserzione, elevata linearità, grande accuratezza dell’attenuazione e ampia gamma di temperature di funzionamento. Con una piedinatura compatibile coi dispositivi concorrenti, questi prodotti permettono di soddisfare i più stringenti requisiti richiesti dalle applicazioni nel settore delle infrastrutture wireless, ponti radio a microonde, sistemi di comunicazione satellitare e infrastrutture di comunicazione in genere.
Gli attenuatori a passo digitale a 6 bit F1912 e a 7 bit F1956 utilizzano la tecnologia chiamata Glitch-Free, che IDT ha sviluppato per eliminare le ondulazioni temporanee (glitch) del livello del segnale sul percorso di ricezione e/o trasmissione dovute ai transitori causati dalla transizione del bit più significativo (MSB). Cambiando il livello di attenuazione impostato si riducono gli effetti delle sovraelongazioni (overshoot) fino al 95 percento. La caratteristica di risposta Glitch-Free permette ai clienti di semplificare l’interfaccia software, migliorare l’affidabilità e di prevenire danni ai sottosistemi più preziosi, come gli amplificatori di potenza, nonché di evitare il sovraccarico degli ingressi dei convertitori dati.
Il dispositivo F2250 è il primo di una nuova famiglia di attenuatori variabili controllati in tensione e può funzionare sulla gamma di frequenza da 50 a 6000 MHz garantendo una perdita di inserzione di 1,4dB a 2 GHz, un’elevata linearità IP3I pari a 65 dBm e una gamma di temperature di funzionamento estesa da -40 a 105 °C. La funzionalità Vmode permette ai clienti di scegliere un meccanismo di controllo dell’attenuazione positivo oppure negativo, con una relazione caratteristica tra attenuazione e tensione di controllo estremamente lineare in dB.
“L’evoluzione continua dei requisiti dei sistemi di comunicazione ha spinto IDT ad ampliare rapidamente la sua offerta di prodotti RF. Questi nuovi attenuatori offrono ai clienti un percorso di migrazione molto efficace per migliorare linearità e affidabilità dei sistemi RF riducendone il costo,” afferma Chris Stephens, general manager della divisione RF di IDT. “Questi nuovi attenuatori con piedinatura compatibile con quelli classici permettono ai progettisti di soddisfare i nuovi requisiti riutilizzando al massimo le schede a circuito stampato già esistenti.”
Caratteristica | F1912 | F1956 | F2250 |
Tipo di attenuatore | DSA | DSA | VVA |
# Bit | 6 | 7 | N/A |
Gamma di frequenza | Da 1 a 4000 MHz | Da 1 a 4000 MHz | Da 50 a 6000 MHz |
Impedenza caratteristica | 50Ω | 50Ω | 50Ω |
Perdida di inserzione @ 2 GHz | 1.4 dB | 1.3 dB | 1.4 dB |
Passo di attenuazione | 0.5 dB | 0.25 dB | Analogico |
Gamma di attenuazione | 31.5 dB | 31.75 dB | 33.6 dB |
IIP3 tipica | 64 dBm | 64 dBm | 65 dBm |
IIP2 tipica | 110 dBm | 110 dBm | 95 dBm |
Errore di attenuazione@ 2GHz | 0. 0.30 dB | 0.1 dB | N/A |
P0.1dB (P1dB) | 31 dBm | 34.5 dBm | (+34.4 dBm) |
ESD HBM | Class 1C | Class 1C | Class 1C |
Tensione di alimentazione | Da 3.0 a 5.25 V | Da 3.0 a 5.25 V | Da 3.0 a 5.25 V |
Tensione di controllo | 1.8V / 3.3V | 1.8V / 3.3V | Da 0 a 2.8 V |
Gamma di temperature | Da -40 a 105 °C | Da -40 a 105 °C | Da -40 a 105 °C |
Contenitore | 4×4 mm 20L TQFN | 5×5 mm 32L TQFN | 3×3 mm 16L TQFN |