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STMicroelectronics ha ampliato la famiglia di MOSFET di potenza a bassa tensione STripFET™ F7 con tre nuovi dispositivi da 100 Vds per impiego in campo automotive. I modelli STH315N10F7-2, STH315N10F7-6, e STP315N10F7 sono ottimizzati per ridurre al minimo gli spike di tensione ed il rumore di commutazione, consentendo ai progettisti di realizzare circuiti più affidabili, robusti e con una elevata efficienza energetica.
I dispositivi della famiglia STripFET™ F7 utilizzano una struttura Injection-Enhanced Trench Gate che riduce la resistenza in conduzione e la capacità interna di gate, aumentando l’efficienza energetica complessiva.
I tre nuovi dispositivi portano questi benefici nel campo automotive offrendo il più basso RDS(on) x Area e turn-off energy (Eoff) del settore industriale.
I nuovi dispositivi presentano una rapporto Crss/Ciss ottimizzato per ridurre al minimo il rumore di commutazione, che, insieme ad un idoneo diodo reverse-recovery, riduce anche le emissioni spurie elettromagnetiche EMI/EMC. In questo modo è possibile evitare l’impiego dei circuiti esterni di filtro e, di conseguenza, ridurre le dimensioni del circuito stampato.
I nuovi Power MOSFETs di ST sono adatti per applicazioni automotive che richiedono un’elevata densità di corrente e di potenza, offrendo un’eccezionale efficienza nelle applicazioni di conversione DC/DC, DC/AC e nei convertitori risonanti LC, utilizzati prevalentemente nei veicoli ibridi ed elettrici.
Tutti i tre dispositivi sono certificati AEC-Q101 per impiego Automotive. I modelli STH315N10F7-2 e STH315N10F7-6 utilizzano contenitori H2PAK con bassa induttanza parassita mentre il modello STP315N10F7 utilizza un tradizionale contenitore TO-220.
http://www.st.com/agstripfetf7
