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Toshiba Electronics Europe (TEE) estende la sua famiglia di LED bianchi LETERAS™ con una nuova serie di dispositivi ultracompatti che combinano degli economici chip al nitruro di gallio su silicio (GaN su Si) con un contenitore a lente del tipo 3535.
I LED della serie TL1L3 da 1,0 W sono disponibili in un contenitore da 3,5 mm x 3,5 mm con un’altezza, lente compresa, di soli 2,42 mm. A dispetto delle piccole dimensioni, questi LED offrono un flusso luminoso tipico compreso tra 112 e 145 lumen, a seconda della temperatura di colore correlata (CCT, Correlated Color Temperature).
I nuovi LED Toshiba a lente integrata sono adatti per essere utilizzati in lampade a tubo, a bulbo, a sospensione e da soffitto, oltre che in lampioni e in riflettori.
La nuova serie TL1L3 comprende sette dispositivi con temperatura di colore compresa tra 2700 K e 6500 K. Un indice minimo di resa cromatica (Ra) pari a 80 contribuisce ad ottenere un’illuminazione naturale in qualsiasi ambiente. Una tensione diretta tipica (VF) di soli 2,85 V (con una corrente diretta di 350 mA) aiuta a mantenere al minimo il consumo energetico.
I LED bianchi ad alte prestazioni vengono da tempo fabbricati su costosi substrati in zaffiro utilizzando wafer relativamente piccoli da 100 o 150 mm. I LED LETERAS di Toshiba, invece, usano la tecnologia di processo “GaN su Si”, decisamente più conveniente, che permette di produrre LED al GaN su fette di silicio da 200 mm.
I LED TL1L3 hanno temperature di lavoro tipiche comprese tra -40 °C e 100 °C e una dissipazione di potenza massima di 3,4 W. Offrono inoltre una bassissima resistenza termica tipica Rth(j-s) dalla giunzione del LED al punto di saldatura, pari a soli 5° C/W.
