Microchip Technology ha presentato il più recente amplificatore di potenza RF ad elevato guadagno ed elevata efficienza per la tecnologia 2.4 GHz 256-QAM – il modello SST12CP21– che garantisce un consumo di corrente e un livello di EVM particolarmente ridotti nelle applicazioni 256-QAM e IEEE 802.11n. Il dispositivo SST12CP21 è in grado di raggiugere un livello di potenza di 23 dBm con una accuratezza della modulazione (EVM) dinamica inferiore a 1,75% (modulazione MCS9-HT40 MHz, alimentazione 5V, assorbimento 320 mA).
Inoltre il dispositivo SST12CP21 è in grado di offrire una potenza lineare di 25 dBm col 3% di EVM e 350 mA di assorbimento nelle applicazioni 802.11g/n. Queste caratteristiche consentono di incrementare significativamente la portata dei sistemi MIMO e WLAN 802.11b/g/n, con un consumo particolarmente contenuto anche nelle condizioni di modulazione più spinte (256-QAM).
Il dispositivo SST12CP21 offre anche una conformità con le maschere spettrali fino a 28 dBm per i sistemi 802.11b/g. Grazie al piccolissimo package QFN 16 pin 3 x 3 x 0,55 mm, lo spazio richiesto sulla scheda è minimo.
Raggiungere la più alta velocità di trasmissione con la portata massima e con un consumo di corrente contenuto è essenziale per gli access-point, i router e i top-box Wi-Fi MIMO. L’amplificatore di potenza SST12CP21 presenta un limitato consumo in corrente, 320 mA a 23 dBm e 350 mA a 25 dBm, particolarmente indicato per i sistemi WLAN multicanale con elevato data-rate.
Questo amplificatore dispone anche di un accordatore on-chip a 50 Ohm in ingresso e uscita che ne semplifica l’utilizzo e che consente di ridurre lo spazio sul PCB. Inoltre, il rilevatore integrato di potenza fornisce un accurato controllo della potenza di uscita in funzione della temperatura nonché del disaccoppiamento.
“Gli amplificatori di potenza RF di Microchip occupano una posizione importante nel mercato WLAN grazie alla loro affidabilità ed efficienza combinata con l’alta potenza, prestazioni che possono essere raggiunte solamente grazie alla tecnologia costruttiva InGaP/GaAs HBT,” ha detto Daniel Chow, vice presidente della divisione RF di Microchip. “Il dispositivo SST12CP21 fornisce un funzionamento affidabile anche alle temperature più elevate con un valore di EVM ancora più basso. Nelle condizioni di massima efficienza con 320mA a 23 dBm e EVM di 1,75%, oppure con 350 mA a 25 dBm e EVM del 3%, questo nuovo amplificatore di potenza aumenta le prestazioni di entrambi i sistemi ad elevato baud-rate 802.11n e 256-QAM MIMO.”
Sono già disponibile le schede di valutazione di questo nuovo prodotto che viene offerto nel package 3 x 3 x 0,55 mm 16-pin QFN.
