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Toshiba Electronics ha presentato un nuovo MOSFET doppio a canale N a bassa resistenza per circuiti di gestione della potenza di dispositivi mobili. Il MOSFET SSM6N58NU soddisfa i requisiti dei circuiti ad alta corrente e dei circuiti di ricarica wireless utilizzati in smartphone, tablet e pc portatili.
Con l’aumento della capacità di batteria delle apparecchiature mobili, nasce l’esigenza di avere dispositivi che supportino correnti e frequenze di carica più elevate, al fine di mantenere al minimo i tempi di ricarica. Il MOSFET SSM6N58NU soddisfa queste esigenze offrendo una corrente continua massima di drain (ID) di 4 A e una corrente massima di drain pulsata (IDP) di 10 A. Inoltre, poiché la carica al gate e la capacità del MOSFET vengono significativamente ridotte, la commutazione può avvenire rapidamente.
Il MOSFET a canale N garantisce efficienza e velocità di commutazione grazie a un’architettura che minimizza la resistenza di conduzione (RDS(ON)) e la capacità di ingresso (CISS). La capacità di ingresso è di soli 129 pF, mentre la RDS(ON) è di 67 mΩ con VGS = 4,5 V. Ciò permette un funzionamento ad alta velocità e basse perdite, con un tempo di accensione (ton) di 26 ns e un tempo di spegnimento (toff) di 9 ns. La bassa carica di gate Qg = 1,8 nC (@ ID = 4 A) riduce in maniera significativa la dissipazione di corrente alternata a 3 MHz, consentendo l’impiego del dispositivo nei sistemi di conversione in corrente continua. La configurazione indipendente dei MOSFET e l’elevata resistenza alle scariche elettrostatiche (≥ 2 kV) ne permettono inoltre l’utilizzo nei circuiti di protezione delle batterie.
Il chip SSM6N58NU è fornito in un contenitore UDFN6 a montaggio superficiale, che occupa uno spazio su scheda di soli 2 mm x 2 mm con un’altezza di appena 0,75 mm. Grazie alla struttura piatta, il contenitore offre una dissipazione di potenza di 2 W e permette di sopportare temperature di canale fino a 150 °C.
