Non ci sono prodotti a carrello.
La nuova generazione di memorie flash 3D aggiunge ulteriori livelli, aumenta la capacità e la banda e offre una nuova flessibilità di progettazione.
Kioxia Europe GmbH, leader mondiale nelle soluzioni di memoria, ha annunciato oggi di aver sviluppato con successo la propria memoria BiCS FLASH tridimensionale (3D) di quinta generazione con una struttura a 112 strati impilati verticalmente. Kioxia prevede di iniziare a spedire i campioni del nuovo dispositivo, che ha una capacità di 512 gigabit (64 gigabyte) con tecnologia a 3 bit per cella (cella a triplo livello, TLC), per applicazioni specifiche nel corso del primo trimestre del 2020. Il nuovo dispositivo punta a soddisfare la crescente domanda di bit in un’ampia varietà di applicazioni, che includono dispositivi mobili tradizionali, unità SSD consumer e enterprise, applicazioni emergenti abilitate dalle nuove reti 5G, intelligenza artificiale e veicoli a guida autonoma.
In futuro, Kioxia applicherà la nuova tecnologia di processo di quinta generazione a dispositivi di capacità superiore, come i dispositivi TLC da 1 terabit (128 gigabyte) e a quattro bit per cella (cella quadrupla, QLC) da 1,33 terabit.
L’innovativo processo di impilamento a 112 strati di Kioxia è combinato con tecnologie circuitali e di processo avanzate per aumentare la densità delle matrici di celle di circa il 20% rispetto al processo di impilamento a 96 strati. La nuova tecnologia riduce il costo per bit e migliora la producibilità, consentendo di ottenere più capacità di memoria per wafer di silicio. Inoltre migliora la velocità dell’interfaccia del 50%, offre prestazioni di programmazione più elevate e una minore latenza in lettura.
Dall’annuncio del primo prototipo al mondo di dispositivo di memoria in tecnologia flash 3D avvenuto nel 2007, Kioxia ha continuato a far avanzare lo sviluppo delle memorie flash 3D e sta promuovendo attivamente la tecnologia BiCS FLASH per soddisfare la domanda di capacità più elevate con dimensioni del die più piccole.
La quinta generazione di dispositivi BiCS FLASH è stata sviluppata in collaborazione con il partner tecnologico e di produzione Western Digital Corporation. I dispositivi saranno prodotti presso lo stabilimento di Kioxia a Yokkaichi e presso il nuovo stabilimento di Kitakami.
