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L’accordo accrescerà la flessibilità industriale e sosterrà l’espansione commerciale di prodotti SiC in applicazioni per il mercato automotive e industriale.
ROHM e STMicroelectronics hanno annunciato oggi la firma di un accordo pluriennale di fornitura di wafer di carburo di silicio (SiC) con SiCrystal, società del gruppo ROHM che detiene una quota importante del mercato SiC in Europa. L’accordo prevede la fornitura di oltre 120 milioni di dollari di sofisticati substrati da 150 mm in carburo di silicio da parte di SiCrystal a STMicroelectronics in questo periodo di ramp-up della domanda di dispositivi di potenza in carburo di silicio.
“Questo ulteriore accordo a lungo termine per la fornitura di substrati in SiC va ad aggiungersi alla capacità esterna che ci siamo già assicurati e alla capacità interna che stiamo sviluppando. Permetterà a ST di aumentare il volume e l’equilibrio della fornitura dei wafer di cui avremo bisogno per soddisfare la forte accelerazione della domanda da parte di clienti con programmi nell’Automotive e nell’Industrial nei prossimi anni”, ha detto Jean-Marc Chery, Presidente & CEO di STMicroelectronics.
“SiCrystal è una società del gruppo ROHM, con una posizione leader nel SiC, e produce wafer in carburo di silicio da molti anni. Siamo molto lieti di stipulare questo accordo di fornitura con ST, nostro cliente di lunga data. Continueremo a supportare il nostro partner nell’espansione delle sue attività nel carburo di silicio incrementando progressivamente i quantitativi diwafer e fornendo qualità affidabile in ogni momento”, ha dichiarato Robert Eckstein, Presidente & CEO di SiCrystal, società del gruppo ROHM.
L’adozione di soluzioni di potenza basate su SiC sta accelerando sia nel mercato automotive, sia in quello Industrial. Con questo accordo, le due aziende contribuiranno a diffondere l’uso del SiC in entrambi i mercati.
