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Infineon Technologies ha acquisito Siltectra GmbH, una start-up con sede a Dresda che ha sviluppato una tecnologia innovativa (Cold Split) per elaborare il materiale cristallino in modo efficiente e con minima perdita di materiale. Infineon vuole utilizzare la tecnologia Cold Split per dividere i wafer al carburo di silicio (SiC), raddoppiando così il numero di chip che è possibile realizzare. Il prezzo di acquisto è stato fissato in 124 milioni di euro, concordato con il principale azionista, la società di venture capital MIG Fund.
“Con questa acquisizione vogliamo espandere il nostro già eccellente portafoglio con prodotti al carburo di silicio. Le nostre competenze a livello di sistema e il nostro know-how unico relativo ai wafer sottili vengono completati dalla tecnologia Cold Split e dalla capacità innovativa di Siltectra“, ha affermato il dott. Reinhard Ploss, CEO di Infineon. “Grazie alla tecnologia Cold Split, potremo produrre più facilmente un maggior numero di prodotti SiC in modo da soddisfare la crescente richiesta nel campo delle energie rinnovabili e nella trasmissione di veicoli elettrici. ”
Il Dr. Jan Richter, CTO di Siltectra, ha affermato: “Siamo lieti di entrare a far parte del leader mondiale nel campo dei semiconduttori di potenza. Avevamo già detto sin dall’inizio che la tecnologia Cold Split poteva essere utilizzata da Infineon e ora ci troviamo a lavorare insieme per trasferirla alla produzione in serie.”
Michael Motschmann, General Partner di MIG Funds, ha dichiarato: “Da quando abbiamo investito in Siltectra, più di otto anni fa, abbiamo sempre creduto nella tecnologia Cold Split e nella grande squadra di quest’azienda. Siamo molto lieti di aver trovato Infineon come acquirente in quanto perfettamente in sintonia, tecnologicamente e culturalmente, con Siltectra; oltre ad essere particolarmente orgogliosi di aver portato l’azienda fino a questo livello”.
Siltectra è stata fondata nel 2010 e da allora ha registrato oltre 50 brevetti. La start-up ha sviluppato una tecnologia per la suddivisione di materiali cristallini con una perdita minima di materiale rispetto alle comuni tecnologie di taglio. Questa tecnologia può essere utilizzata anche con il materiale semiconduttore SiC, per il quale è prevista una rapida crescita della domanda nei prossimi anni. I prodotti SiC consentono già di realizzare inverter solari molto efficienti e compatti; in futuro la tecnologia SiC avrà un ruolo di primo piano anche nell’elettromobilità. La tecnologia Cold Split sarà industrializzata presso il sito Siltectra di Dresda e presso il sito Infineon di Villach, in Austria. L’utilizzo nella produzione in volumi dovrebbe essere completato entro i prossimi cinque anni.
Infineon offre il più ampio portafoglio di prodotti di semiconduttori di potenza basati sul silicio, nonché con gli innovativi substrati di carburo di silicio e nitruro di gallio. È l’unica azienda al mondo con produzione di volumi su wafer sottili di silicio da 300 mm. Da questo punto di vista, dunque, Infineon è ben posizionata per applicare la tecnologia dei wafer sottile anche ai prodotti SiC. La tecnologia Cold Split vuole contribuire a garantire la fornitura di prodotti SiC soprattutto nel lungo periodo. Nel corso del tempo potrebbero emergere ulteriori applicazioni per la tecnologia Cold Split, con l’uso di materiali diversi dal carburo di silicio.
MIG AG è uno dei principali investitori di venture capital tedeschi. I fondi MIG forniscono equity alle start-up nei settori High Tech e Life Sciences dalla fase iniziale fino alla fase di espansione. Attualmente Attualmente MIG AG (www.mig-fonds.de) gestisce un portafoglio di 24 società.
