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Dimensioni compatte, bassa resistenza e qualifica AEC-Q101 per impiego in ambito automotive.
Toshiba Electronics Europe ha annunciato il lancio di una nuova serie di MOSFET che incorpora una struttura a clamp attivo con un diodo integrato tra i terminali di drain e di gate. Richiedendo un numero minimo di componenti esterni, il dispositivo singolo SSM3K357R e il componente duale SSM6N357R sono adatti per il pilotaggio di carichi induttivi, come i relè meccanici o i solenoidi.
La nuova serie 357 protegge i driver contro possibili danni prodotti da sbalzi di tensione, come quelli causati dalla forza controelettromotrice generata da un carico induttivo. Essa integra una resistenza di pull-down, una resistenza serie e un diodo Zener, che contribuiscono tutti a diminuire il numero di componenti esterni e a ridurre lo spazio occupato sul PCB.
I dispositivi sopportano una tensione drain-source massima (VDSS) di 60V e una corrente di drain (ID) massima di 0,65A. Il basso valore di resistenza di ON drain-source (RDS(ON)), pari a 800mΩ con VGS = 5,0 V, garantisce un funzionamento efficiente con una produzione di calore minima.
Il dispositivo singolo SSM3K357R è alloggiato in un package di classe SOT-23F da 2,9 x 2,4 x 0,8 mm, ed è adatto per il controllo di relè e solenoidi grazie alla bassa tensione operativa di 3,0V. Essendo il dispositivo qualificato secondo AEC-Q101, esso è adatto per applicazioni automotive e per molte applicazioni industriali.
Il componente duale SSM6N357R è alloggiato in un package di classe TSOP6F da 2,9 x 2,8 mm x 0,8 mm, che consente l’utilizzo di due dispositivi su una scheda, richiedendo il 42% in meno di superficie di montaggio rispetto all’utilizzo di due dispositivi singoli.
L’SSM3K357R e l’SSM6N357R sono già disponibili in volumi di produzione.
