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Toshiba Electronics Europe ha introdotto due nuovi MOSFET alloggiati nel piccolo package SOP Advance (WF) a bassa resistenza con dimensioni pari a 5mm x 6 mm, quali nuove aggiunte alla serie di MOSFET di potenza a canale N di tipo automotive da 40V. Il TPHR7904PB e il TPH1R104PB sono qualificati in base allo standard AEC-Q101 e sono pensati per una varietà di applicazioni automotive tra cui il servosterzo elettrico (EPS), i sezionatori di carico, le pompe elettriche, i ventilatori e altro ancora.
Fabbricati utilizzando la più recente generazione di processo Trench U-MOS IX-H e alloggiati in un piccolo package a bassa resistenza, i nuovi MOSFET forniscono una resistenza di ON (RDS(ON)) di appena 0,79mΩ max con VGS = 10V, riducendo così le perdite di conduzione. I dispositivi sono caratterizzati da una tensione Drain-Source (VDSS) di 40V e sono in grado di gestire correnti di drain (ID) fino a 150 A DC. La struttura dei dispositivi in tecnologia U-MOS IX-H riduce inoltre il rumore di commutazione, contribuendo a diminuire le interferenze elettromagnetiche (EMI).
Il package SOP Advance (WF) impiega una struttura di terminale con fianco bagnabile, la quale consente il controllo visivo automatizzato dei giunti di saldatura sui circuiti stampati, un requisito fondamentale per la conformità alla qualità automotive.
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