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Toshiba Electronics Europe ha annunciato oggi il lancio di due nuovi driver per MOSFET a canale N, adatti per la ricarica rapida e per altre applicazioni a corrente elevata.
Il nuovo IC driver TCK401G (attivo alto) e l’IC a pompa di carica (attivo basso) TCK402G sono adatti per applicazioni di ricarica mobile ad alta corrente, quando sono usati in combinazione con MOSFET a canale N a bassa RDS(on). Gli IC driver supportano diverse funzioni integrate per la sicurezza, tra cui la protezione contro le sovratensioni, la riduzione dei picchi di corrente e l’autoscarica in uscita.
I dispositivi operano con una tensione di ingresso nell’intervallo compreso fra 2,7V e 28V DC, e richiedono solo 121μA di corrente di riposo (IQ). I tempi di commutazione per la tensione di gate (VGATE) sono di 0,58ms (ON) e 16,6μs (OFF).
É possibile realizzare un circuito di alimentazione ad alta efficienza utilizzando uno dei nuovi driver con uno o due MOSFET esterni a canale N con una tensione massima nominale e una resistenza adatte per l’impiego previsto. Ad esempio, la combinazione di un IC driver TCK40xG e del MOSFET a bassa resistenza di on SSM6K513NU è ideale per le applicazioni mobili o consumer, poiché consente di realizzare un alimentatore da 100W con un ingombro molto ridotto.
Pur offrendo un alto livello di integrazione, gli IC driver sono ancora alloggiati nel piccolo package WCSP6E all’avanguardia sul mercato, il quale misura appena 0,8mm × 1,2mm × 0,55mm.
La consegna in volumi dei nuovi IC driver MOSFET ha già avuto inizio.
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