MOSFET di potenza a canale N da 100V per applicazioni industriali

Toshiba Electronics Europe ha aggiunto due nuove versioni da 100V alla propria serie di MOSFET a bassa potenza IX-H U-MOS a canale N. I nuovi dispositivi sono ideali per l’alimentazione degli impianti industriali, nonché per le applicazioni di controllo dei motori.

Fabbricati con il più recente processo U-MOS IX-H Trench a bassa tensione di Toshiba, che ottimizza la struttura degli elementi, il TPH3R70APL e il TPN1200APL forniscono i valori più bassi di resistenza della propria categoria, rispettivamente pari a 3,7 milliOhm e a 11,5 milliOhm. I dispositivi presentano una carica in uscita bassa (QOSS: 74 / 24nC) e una carica di commutazione di gate altrettanto ridotta (QSW: 21 / 7,5nC) e permettono di ottenere un livello logico di pilotaggio di 4,5V.

Rispetto agli attuali dispositivi che sono basati sul processo U-MOS VIII-H, i nuovi dispositivi presentano valori inferiori delle principali figure di merito dei MOSFET per applicazioni di commutazione.tra cui RDS (on) x Qoss e RDS(on) x QSW.

Il TPH3R70APL è alloggiato in un package SOP Advance da 5mm x 6mm e può gestire correnti di drain (ID) fino a 90A, mentre il TPN1200APL è disponibile in un package TSON Advance da 3mm x 3mm e gestisce livelli di ID fino a 40A.

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